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下载规格书 半导体激光器是通过半导体中电荷载流子对的辐射再结合产生的。与传统的激光系统相比，它们的效率更高，成本更低，所需的功率也更小，因此成为制造业、医药和能源领域的热门选择。
全部产品分类
概述
FAXD-808-8W-200是一款多模半导体激光二极管，在808nm处具有8W连续输出功率。发射体尺寸为200µm。它适用于各种光电应用。
参数
- 中心波长 / Center Wavelength: : 0.808um
- 输出功率 / Output Power: : 8000mW
图片集
规格书
厂家介绍
法兰克福激光公司（FLC）由Vsevolod Mazo博士于1994年创立，25年来一直是半导体激光器的较好公司之一。几乎没有一种激光产品在这里找不到。该公司提供从紫外、可见光范围到红外和远红外的激光源、激光二极管、超发光二极管、激光模块、激光系统、DPSS激光器或中红外LED，包括单模和多模、自由空间光束和光纤耦合。
相关产品
图片名称分类制造商参数描述
- LASER DIODE FNLD-100S-1532/1550X半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 100mW
FNLD-100S-1532/1550X是用MOCVD半导体激光器制作的GaInAsP/InP多量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FNLD-100S 1532/1550X是CW单横模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。
- Laser For Raman Spectroscopy 1064nm半导体激光器Flash Photonics
波长: 1064nm输出功率: 500mW
我们销售的IPS激光器范围为405 nm至1064 nm，功率范围为10–500 MW。我们有多模和单模激光器。这些激光器是精密科学应用的理想选择，包括拉曼光谱、计量和干涉测量。可根据要求提供定制激光选项。
- Seminex High Power Multi-Mode Laser Diode 1585nm 1.7W半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 1700mW
Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时，我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计，以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试，以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。
- QLD-1060-50S-AR半导体激光器QPhotonics
波长: 1054 nm输出功率: 0 to 0.05 W
QLD-1060-50S-AR是一种波长为1054nm的激光二极管，输出功率为0~0.05W，工作电压为1.79V，工作电流为0.16~0.16A，阈值电流为44mA.有关QLD-1060-50S-AR的更多详细信息，请参阅下文。
- HL63520HD半导体激光器Ushio Inc.
波长: 638 nm
Ushio Opto Semiconductors的HL63520HD是一款638 nm AlGaInP激光二极管。该激光二极管在-10°C至45°C的工作温度范围内提供了3.5W的脉冲光输出功率（脉冲周期=120 Hz，占空比=30%），在55°C的工作温度上限下实现了2.5W的脉冲光输出功率。即使在CW操作中，红色激光二极管也实现了2.4W的光输出功率，并实现了超过20，000小时的MTTF.它可以在脉冲和CW操作模式下集成到投影仪中。它采用9 mm TO-CAN封装，非常适合激光投影仪和光学设备应用。
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激光二极管技术（Laser Diode Technology）
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