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下载规格书 激光气体分析仪可进行高灵敏度和高选择性的气体检测。这种检测方法的多组分能力和宽动态范围有助于分析浓度范围较宽的混合气体。由于这种方法无需进行样品制备或预浓缩，因此易于在实验室或工业中采用。
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激光二极管 faxD-808-10W-400-HHLW概述
FAXD-808-10W-400-HHLW是一种多模半导体808nm连续输出功率10W的半导体激光器。发射器尺寸为400µm。它被封装在一个有窗口的高热负荷封装中，适用于各种光电应用。
激光二极管 faxD-808-10W-400-HHLW参数
- 中心波长 / Center Wavelength: : 0.808um
- 输出功率 / Output Power: : 10000mW
激光二极管 faxD-808-10W-400-HHLW规格书
激光二极管 faxD-808-10W-400-HHLW厂家介绍
法兰克福激光公司（FLC）由Vsevolod Mazo博士于1994年创立，25年来一直是半导体激光器的较好公司之一。几乎没有一种激光产品在这里找不到。该公司提供从紫外、可见光范围到红外和远红外的激光源、激光二极管、超发光二极管、激光模块、激光系统、DPSS激光器或中红外LED，包括单模和多模、自由空间光束和光纤耦合。
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图片名称分类制造商参数描述
- LASER DIODE FKLD-50S-660-75X半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 50mW
FKLD-50S-660-75X是660nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FKLD-50S-660-75X是一款CW单模注入半导体激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于便携式高密度光盘驱动器和其它光电子器件系统。
- 635m F-Mount Diode半导体激光器PhotonTec Berlin
波长: 635 nm输出功率: 0.35 to 0.5 W
Photontec Berlin公司的635M F-Mount Diode是一款激光二极管，波长为635 nm，输出功率为0.35~0.5 W，工作电压为2.3 V，工作电流为0.8~1.3 A，阈值电流为450~800 mA.635M F-Mount二极管的更多详情见下文。
- LDX-3F20-940半导体激光器RPMC Lasers Inc.
波长: 940 nm
来自RPMC Lasers Inc.的LDX-3F20-940是波长为940 nm的激光二极管，输出功率为12800 MW（光纤）至16000 MW，输出功率为12800 MW（光纤）至16000 MW，工作电压为1.8 V，工作电流为16000 mA.有关LDX-3F20-940的更多详细信息，请参阅下文。
- RLD63NZC5半导体激光器ROHM Semiconductor
波长: 630 to 645 nm输出功率: 0 to 0.006 W
Rohm Semiconductor的RLD63NZC5是波长为630至645nm的激光二极管，输出功率为0至0.006W，工作电压为2.2至2.7V，工作电流为0.02 4至0.035A，阈值电流为24至35mA.有关RLD63NZC5的更多详细信息，请参阅下文。
- LD63G5S-A/B/C-L半导体激光器First Sensor
波长: 639 to 645 nm输出功率: 0.015 W
来自第一传感器的LD63G5S-A/B/C-L是波长为639至645 nm的激光二极管，输出功率为0.015 W，工作电压为2.3至2.6 V，工作电流为0.05至0.065 A，阈值电流为30至40 mA.有关LD63G5S-A/B/C-L的更多详细信息，请参阅下文。
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