KTP Crystal by JIEPU TREND

DLATGS晶体DLATGS晶体是一种具有热释电效应的晶体材料，它可以提供从0.4μm（~750THz）的近紫外（NUV）光边缘到200μm（~1.5THz）的远红外光谱的宽范围红外辐射。它在航空航天、军事、医疗和消防安全领域有着广泛的用途。TGS（硫酸三甘氨酸）具有较高的热释电系数、较低的介电常数和优良的品质因数，是一种优良的热释电传感器敏感材料。基于TGS的热电传感器对从紫外到远红外的波长范围内的辐射敏感，并且不需要使用致冷剂冷却。TGS的居里温度点约为47°C。通过TGS的氘化，居里温度可提高到60°C以上。当晶体中掺入足够量的L-丙氨酸时，晶体可以锁定极化-晶体具有热释电性质而没有额外的极化。另外，将晶体加热到居里温度以上，再冷却到居里温度以下，热释电性能仍能恢复，因此该晶体具有高稳定性，适合制作在高工作温度下性能稳定的热释电器件。

ZnGeP2（ZGP）晶体具有0.74和12μm的透射带边。然而，它的有效透射范围为1.9-8.6μm和9.6-10.2μm。ZGP晶体具有较大的非线性光学系数和较高的激光损伤阈值。

l硫代磷酸锂99.995%。

铌酸锂（LiNbO3）是一种重要的光调制器材料。为无色固体，不溶于水。它具有三方晶系和负的单轴双折射，双折射的大小与晶体的化学计量和温度关系不大。它对350到5200纳米之间的波长是透明的。MgO：LN是掺杂了氧化镁的铌酸锂，这增加了其抗光学损伤的能力。

化学计量的钽酸锂（SLT）优于共晶生长的钽酸锂（CLT），因为它更接近锂与钽的理想比例（50：50）。该改进的比率为晶体提供了低得多的缺陷密度，从而减少了光学损伤的机会并改进了UV透射率，同时具有更大的非线性和电光系数。当在准相位匹配应用中使用时，SLT在周期性极化过程中需要显著更少的电压，从而允许制造更厚的芯片。