激光二极管技术(Laser Diode Technology)
最近,激光二极管的商业和工业应用急剧增加。激光二极管的光学特性、小尺寸和坚固性使得许多新用途得以商业化。
更新时间:2024-04-19 14:40:59
K405E03CN-0.160W同轴封装的MM二极管激光器概述
K405E03CN-0.160W同轴封装的MM二极管激光器参数
K405E03CN-0.160W同轴封装的MM二极管激光器图片集
K405E03CN-0.160W同轴封装的MM二极管激光器规格书
K405E03CN-0.160W同轴封装的MM二极管激光器厂家介绍
相关内容
相关产品
波长: 473nm输出功率: 6000mW
激光模块和二极管
输出功率: 200mW
Qioptiq iFlex-IRIS™固态激光系统在小型化封装中提供高性能稳定性和低振幅噪声。它们非常适合集成到需要高性能但又需要保持小尺寸的仪器中。作为主动温度控制的结果,激光器是无跳模和波长稳定的。所有CW IFLEX-IRIS激光器均使用内部反馈回路在自动功率控制模式下工作。此功能提供高度稳定的输出功率,并确保在整个产品生命周期内保持高功率稳定性能。
波长: 1170 to 1280 nm输出功率: 0.35 to 0.45 W
来自Qphotonics的QFLD-1240-350S是波长为1170至1280nm的激光二极管,输出功率为0.35至0.45W,工作电压为1.7至1.9V,工作电流为1.05至1.3A,阈值电流为120至180mA.有关QFLD-1240-350S的更多详细信息,请参阅下文。
波长: 785 nm输出功率: 0.02 to 0.08 W
Toptica Eagleyard的EYP-RWS-0785-00080-1500-TOS52-0000是一款激光二极管,波长为785 nm,输出功率为0.02至0.08 W,阈值电流为70 mA,输出功率(连续波)为0.02至0.08 W,工作温度为15至40摄氏度。EYP-RWS-0785-00080-1500-TOS52-0000的更多详情见下文。
波长: 630 to 640 nm输出功率: 5 mW
Quantum Semiconductor International的QL63D4S-A/B/C是MOCVD生长的具有量子阱结构的635 nm波段InGaAlP激光二极管。它为光学水平仪和模块等光电器件提供5mW的输出功率。激光二极管采用5.6 mm TO-18封装,内置用于监控激光二极管的光电二极管。
相关文章
激光二极管技术(Laser Diode Technology)
最近,激光二极管的商业和工业应用急剧增加。激光二极管的光学特性、小尺寸和坚固性使得许多新用途得以商业化。
在斯特拉斯克莱德大学领导的研究中,能够反射或操纵光线的激光驱动的 "镜子 "已经产生。
光学参数振荡器optical parametric oscillator(OPO)是一种像激光一样的相干光源,但使用的是非线性晶体中的光学放大过程,而不是受激发射。由于
来自筑波大学的筑波能源材料科学研究中心的科学家们展示了一种简单的方法来生产离子液体微滴,这些微滴可以作为灵活、持久和可气动调节的激光器使用。