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下载规格书 在斯特拉斯克莱德大学领导的研究中，能够反射或操纵光线的激光驱动的 "镜子 "已经产生。
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hl63283hd 激光二极管概述
Ushio Opto Semiconductor（USHIO/OPNEXT激光二极管）提供405nm至850nm的各种功率水平。HL40033G（1000mW，405nm）紫光二极管是成像、生物医学和工业应用的理想选择。还提供HL40071MG，这是Ushio的一款新型单模405nm二极管，较大功率为300 MW。Ushio红色激光二极管的波长范围为633nm至690nm。高功率红色激光二极管HL63290HD、HL63520HD提供超过2 W的功率，可用于投影仪应用。HL65014DG是一种功率为150mW的单模红光激光二极管，可用作光学仪器的光源。Ushio红外和近红外激光二极管可用于705nm、730nm、830nm和850nm。World Star Tech拥有大多数Ushio激光二极管的大量库存。World Star Tech可提供Ushio激光二极管的波长测量和选择。此外，还可以较低的额外成本提供激光二极管的完整特性，这将使制造更加可靠和容易。波长、激光阈值电流、激光斜率效率、激光电压和监控二极管信息将与测量数据一起提供。请联系我们了解您的激光二极管要求。HL40033G激光二极管具有多模式和9 mm封装。HL63283HD激光二极管具有多模式和9 mm封装。HL63283HD是工业和投影应用的理想选择，要求可靠的操作，具有较长的使用寿命和稳定的输出功率。
hl63283hd 激光二极管参数
- 中心波长 / Center Wavelength: : 0.636um
- 输出功率 / Output Power: : 1200mW
hl63283hd 激光二极管规格书
hl63283hd 激光二极管厂家介绍
成立于1996年，专注于传感器、测量、生物医学和激光照明领域的激光应用。今天，我们是激光模块和激光传感器的领先制造商和设计商。我们的产品线包括从405 nm到1064 nm的各种功率范围的激光模块和系统。我们经验丰富、技术精湛的专业技术人员将帮助您解决较复杂的激光设计问题。
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图片名称分类制造商参数描述
- 808L-11A: 808nm Laser (Diode; MATCHBOX 2)半导体激光器RPMC Lasers Inc.
波长: 808nm输出功率: 110mW
808nm半导体激光器（GaAlAs）广泛用于泵浦掺Nd增益介质。较近，这些二极管激光器被应用于牙科手术、疼痛治疗、塑料焊接和各种其他应用。808 nm激光源提供SLM和纵向多模选项，TEM00操作。
- FKLD-7S-650-70半导体激光器FrankFurt Laser Company
波长: 650 nm输出功率: 0.007 W
来自Frankfurt Laser Company的FKLD-7S-650-70是波长为650 nm、输出功率为0.007 W、阈值电流为30至45 mA、输出功率（CW）为0.007 W、工作温度为-10至70摄氏度的激光二极管。FKLD-7S-650-70的更多详细信息可在下面查看。
- CHP-122半导体激光器SemiNex Corporation
波长: 1555 nm输出功率: 0.06 W
CHP-122是Seminex公司生产的波长为1555nm的激光二极管，输出功率为0.06W，工作电压为3.6V，工作电流为1.8A，阈值电流为50000mA.有关CHP-122的更多详细信息，请参见下文。
- LU1025M300半导体激光器Lumics
波长: 1020 to 1030 nm输出功率: 0.3 W
LUMICS公司的LU1025M300是一款激光二极管，波长为1020~1030nm，输出功率为0.3W，工作电压为1.62~1.95V，工作电流为0.6~0.8A，阈值电流为60mA.有关LU1025M300的更多详细信息，请参阅下文。
- XM6-808CW-10-301半导体激光器Compound Photonics
波长: 806.5 to 809.5 nm输出功率: 3 W
Compound Photonics公司的XM6-808CW-10-301是一种波长为806.5至809.5nm的激光二极管，输出功率为3W，工作电压为1.65至1.7V，工作电流为4A，阈值电流为550mA.有关XM6-808CW-10-301的更多详细信息，请参阅下文。
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