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HL6312G AIGaInP激光二极管 半导体激光器

HL6312G AIGaInP激光二极管

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更新时间:2024-04-19 14:40:59

型号:

HL6312G AIGaInP激光二极管概述

HL6312G AlGaInP半导体激光器。

HL6312G AIGaInP激光二极管参数

  • 中心波长 / Center Wavelength: : 0.638um
  • 输出功率 / Output Power: : 5mW

HL6312G AIGaInP激光二极管图片集

HL6312G AIGaInP激光二极管图1
HL6312G AIGaInP激光二极管图2
HL6312G AIGaInP激光二极管图3

HL6312G AIGaInP激光二极管规格书

HL6312G AIGaInP激光二极管厂家介绍

法兰克福激光公司(FLC)由Vsevolod Mazo博士于1994年创立,25年来一直是半导体激光器的较好公司之一。几乎没有一种激光产品在这里找不到。该公司提供从紫外、可见光范围到红外和远红外的激光源、激光二极管、超发光二极管、激光模块、激光系统、DPSS激光器或中红外LED,包括单模和多模、自由空间光束和光纤耦合。

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图片名称分类制造商参数描述
  • 光电查
    LASER DIODE FTLD-1510-13S半导体激光器FrankFurt Laser Company

    输出功率: 13mW

    FTLD-1510-13S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1510nm半导体激光器,采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1510-13S是一种连续单模注入式半导体激光器,主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 光电查
    LDX-Optronics-LDX--2306-635半导体激光器RPMC Lasers Inc.

    输出功率: 300mW

    自1990年开放以来,LDX一直专注于宽条多模激光二极管,主要是红色波长,但也有其他专业波长,如760、1030、1065、1120、1450、1540 nm等专业波长。LDX可以生产几乎所有常见的单发射器激光二极管封装,包括C-Mounts、TO-18、9 mm CAN、TO-3、高热负荷封装(HHL)、各种光纤耦合封装等。LDX提供的一些波长比通常的激光二极管更热敏感。这些器件出色的热管理对于可靠性和长寿命至关重要。我们多年经验中的技能被用于我们所有的包装中。关于RPMC LDX的实验室和办公室位于田纳西州的玛丽维尔。.

  • 光电查
    B-134-108半导体激光器SemiNex Corporation

    波长: 1650 nm输出功率: 3 W

    Seminex公司的B-134-108是波长为1650nm,输出功率为3W,工作电压为1.7V,工作电流为14A,阈值电流为500mA的激光二极管。B-134-108的更多细节可以在下面看到。

  • 光电查
    LDX-3515-1120半导体激光器RPMC Lasers Inc.

    波长: 1120 nm

    来自RPMC Lasers Inc.的LDX-3515-1120是波长为1120 nm、输出功率为4000 MW(光纤)至5000 MW、输出功率为4000 MW(光纤)至5000 MW、工作电压为2 V、工作电流为8500 mA的激光二极管。有关LDX-3515-1120的更多详细信息,请参阅下文。

  • 光电查
    LD-660-50-50-P-2半导体激光器OPELUS Technology Corporation

    波长: 655 to 668 nm输出功率: 0.05 W

    Opelus Technology Corporation的LD-660-50-50-P-2是激光二极管,其波长为655至668nm,输出功率为0.05W,工作电压为2.5至3V,工作电流为115至125mA,阈值电流为45至55mA.有关LD-660-50-50-P-2的更多详细信息,请参阅下文。

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