用于激光和光电探测器集成的大规模过氧化物单晶阵列的片上可控制造
光电设备中非常需要可寻址的活性层,以实现功能集成和应用。金属卤化物过氧化物由于其优越的光电特性和基于溶液的制造工艺,在光电器件中显示出良好的应用前景。
Gentec-EO高功率检测器UP12E-10S-H5-D0概述
Gentec-EO Ultra系列UP功率探测器系列包括13个系列(XLP12、UP12E、UP10K(P)、UP17P、UP19K、UP25N(M)、UP25T、UP50N(M)、up55N(M.)、up55C、uP60N(M.)、uP55G和uP60G)的光热传感器,具有不同的冷却选项(独立、散热器、风扇和水),带或不带放大功能。高功率表面吸收传感器设计用于高平均功率密度。
Gentec-EO高功率检测器UP12E-10S-H5-D0参数
Gentec-EO高功率检测器UP12E-10S-H5-D0规格书
Gentec-EO高功率检测器UP12E-10S-H5-D0厂家介绍
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CLD240系列是旧款CLD140系列的全新直接替代品,具有更大的(0.060 X 0.060)有效面积硅PIN光电二极管芯片。此外,它还具有更快的开关速度和更低的结电容。提供三种不同的透镜选项,可满足大多数应用要求。联系Clairex了解其他包装选项。
我们的热电探测器是一类室温热探测器,当暴露于辐射源时,其产生的电流输出与温度变化率成正比。它们较好用交流电流源、电容器和电阻器来描述。它们的电流输出由等式I=P(T)·A·DT/DT决定,其中I是电流,P(T)是Pyro系数,A是由前电极限定的面积,DT/DT是Pyro晶体的温度变化率。与其他红外探测器相比,热释电探测器的优势在于:室温操作、宽光谱响应、高灵敏度(D*)和快速响应(亚纳秒至50Ω)。我们的被动式分立热释电探测器的直径范围为1至9 mm,并提供两种配置:高灵敏度或高平均功率。他们展示了覆盖有我们的金属涂层(MT)的热电探测器元件,并封装在微型TO-5或TO-8罐中。左图显示了两种类型探测器的引脚排列。我们的有机黑色涂层(BL),增加了光学吸收,并有助于平坦的光谱响应。我们还提供许多可添加到TO CAN的永久红外窗口。这些离散的Pyro探测器是脉冲激光应用的理想选择。
Gentec-EO Ultra系列UP功率探测器系列包括13个系列(XLP12、UP12E、UP10K(P)、UP17P、UP19K、UP25N(M)、UP25T、UP50N(M)、up55N(M.)、up55C、uP60N(M.)、uP55G和uP60G)的光热传感器,具有不同的冷却选项(独立、散热器、风扇和水),带或不带放大功能。高功率表面吸收传感器设计用于高平均功率密度。
低偏振相关损耗(PDL)InGaAs光电二极管
光电二极管表面贴装光电二极管与日光过滤器。
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