单频半导体激光器研究取得进展:氮化硅微谐振器大大提高半导体激光器性能
洛桑联邦理工学院(EPFL)光子系统实验室(PHOSL)的团队开发出了一种芯片级激光源,在提高半导体激光器性能的同时,还能产生更短的波长。 这项开创性工作由Camille Brès教授和来自洛桑联邦理工学院工程学院的博士后研究员Marco Clementi领导,是光子学领域的重大进展,对电信、计量学和其他高精度应用具有重要意义。
FLTT-808-2.2W-500m-CAP红外激光照明器概述
红外激光照明器FLTT-808-2.2W-500M-CAP是一款高性能产品,集成了高质量的VCSEL芯片和出色的光学设计。它具有高效率的出色电路控制和宽波束角变焦,可匹配大多数摄像机的视场角,如高速球机、云台和交通监控摄像机。用户界面友好,并提供工作电压控制、通信协议和安装示意图。风扇角度可通过串口进行电子调节。输出光束非常均匀且无散斑。
FLTT-808-2.2W-500m-CAP红外激光照明器参数
FLTT-808-2.2W-500m-CAP红外激光照明器规格书
FLTT-808-2.2W-500m-CAP红外激光照明器厂家介绍
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