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下载规格书 以氮化镓为基础的led的开发和制造企业、高亮度蓝光和白光led的发明者日亚半导体(Nichia)开始了高功率红光激光二极管(LD)芯片的自主生产。这家总部位于日本的公司将从2024年春季开始销售包括新型红光LD芯片在内的激光封装产品。
全部产品分类
概述
FARL-100S-830-TO56激光二极管830nm 100mW。
参数
- 中心波长 / Center Wavelength: : 0.830um
- 输出功率 / Output Power: : 100mW
图片集
规格书
厂家介绍
法兰克福激光公司（FLC）由Vsevolod Mazo博士于1994年创立，25年来一直是半导体激光器的较好公司之一。几乎没有一种激光产品在这里找不到。该公司提供从紫外、可见光范围到红外和远红外的激光源、激光二极管、超发光二极管、激光模块、激光系统、DPSS激光器或中红外LED，包括单模和多模、自由空间光束和光纤耦合。
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图片名称分类制造商参数描述
- LASER DIODE FIDL-5S-860X半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 5mW
FIDL-5S-860X是用MOCVD半导体激光器制作的860nm AlGaAs/GaAs多量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-5S-860X是一款采用SOT-242 5.6mmCAN封装的CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统中。
- LASER DIODE FLX-1120-2500M-100半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 2500mW
FLX-1120-2500M-100是一款多模半导体激光二极管，在1120nm处具有2500mW连续输出功率。可用的封装有B-mount、C-mount、Q-mount、TO-3 CAN和HHL。它适用于各种光电应用。
- LD405‐200‐1 CW Semiconductor Laser半导体激光器Z-Optics
输出功率: 200mW
LD405‐200‐1连续波半导体激光器。
- QFLD-650-2AX半导体激光器QPhotonics
波长: 649.8 nm输出功率: 0 to 0.002 W
来自Qphotonics的QFLD-650-2AX是波长为649.8nm、输出功率为0至0.002W、工作电压为2.18V、工作电流为0.027至0.03A、阈值电流为13mA的激光二极管。有关QFLD-650-2AX的更多详细信息，请参阅下文。
- QFLD-795-50S半导体激光器QPhotonics
波长: 794.7 nm输出功率: 0 to 0.0505 W
来自Qphotonics的QFLD-795-50S是波长为794.7nm的激光二极管，输出功率为0至0.0505W，工作电压为1.89V，工作电流为0.13 5至0.148A，阈值电流为39mA.有关QFLD-795-50S的更多详细信息，请参阅下文。
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