EP1742-DM-B: DM激光二极管1735-1770nm

输出功率: 500mW

FIDL-500M-1064X是用MOCVD半导体激光器制作的InGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-500M-1064X是一种连续多模注入式半导体激光器。它采用SOT-148 9mm封装，集成监视器光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

波长: 780 nm输出功率: 0.09 W

Roithner Lasertechnik的QL78M6SA是一款工作波长为770至790 nm的AlGaAs红外激光二极管。它的输出功率为90 MW，LD反向电压为2 V，PD反向电压为30 V.该单横模激光二极管具有量子阱结构，可在高达60摄氏度的温度下工作。它采用5.6 mm TO-CAN封装，是工业应用的理想辐射源。

波长: 808 nm输出功率: 5 mW

Kryptronic Technologies的GCSLR-DUET-05-005是一款激光二极管，波长为808 nm，输出功率为5 MW，工作电压为2 V，工作电流为6.5 A.有关GCSLR-DUET-05-005的更多详细信息，请参见下文。

波长: 808 nm输出功率: 100 mW

Sheaumann Laser的M9-808-0100是一款工作波长为808 nm的激光二极管。连续输出功率为100mW，斜率效率为1W/A，在FWHM处的发散角为18°（垂直远场）和8°（水平远场）。它需要35 mA的阈值电流，并消耗135 mA的电流。该激光二极管具有带可选光电二极管和微透镜的AR涂层窗口。它采用9mm TO-CAN封装，非常适合颗粒计数和尺寸测量以及检测/3D成像应用。

波长: 830 nm输出功率: 300 mW

Sheaumann Laser的M9T-830-0300是连续波（CW）Fabry Perot（FP）激光二极管，工作波长为830 nm.这种单空间模式激光二极管的光输出功率高达300mW，斜率效率为0.9W/A，垂直光束发散角（FWHM）为16°，水平光束发散角（FWHM）为8°。该激光二极管的正向电压为1.9-2.2 V，阈值电流高达65 mA.该器件采用Ø9 mm高TO-CAN封装，非常适合拉曼光谱和医疗应用。