DS3-51512-009-LDNo. 光纤耦合二极管激光系统

输出功率: 25mW

高亮度、高质量和高可靠性是我们单模产品线的基础。LaseOptics 635nm多模激光二极管可从单个发射器芯片获得高达30mW的连续输出功率。LaseOptics商标激光芯片设计产生了无法测量的退化和长寿命，使我们的芯片成为当今行业中较可靠的芯片之一。我们的635纳米单模生产线服务于广泛的应用，包括固态泵浦、图形、医疗、牙科、工业和国防。

输出功率: 10mW

FIDL-10S-980X是用MOCVD半导体激光器制作的980nm InGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-10S-980X光源为CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管，输出功率稳定。本发明的激光二极管适用于各种光电子器件中系统。

近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计，包括多腔单片结构，每个芯片较多有4个有效区域，可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的，从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择，适用于恶劣环境应用。对于大批量应用，可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度，从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间，但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用，因此应进行相应的设计。为此，Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括：MOVPE晶圆生长；生长的GaAs晶片的晶片处理；使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件；引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

波长: 808 nm输出功率: 100 W

Northrop Grumman公司的ARR190P1200是一种波长为808 nm、输出功率为100 W、工作电压为21.6 V、工作电流为95 A、阈值电流为15000 mA的激光二极管。有关ARR190P1200的更多详细信息，请参阅下文。

波长: 808 nm输出功率: 0.5 W

Roithner Lasertechnik的LDM-0808-500M-32是一款激光二极管，波长为808 nm，输出功率为0.5 W，工作电压为2 V，工作电流为0~0.6 A，阈值电流为130 mA.有关LDM-0808-500M-32的更多详细信息，请参阅下文。