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AlN激光二极管载体 - 金属化 半导体激光器配件

AlN激光二极管载体 - 金属化

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更新时间:2024-04-19 14:40:59

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AlN激光二极管载体 - 金属化概述

可以应用各种金属化方案来形成导体、整体电阻器、焊料阻挡层、焊料坝等,Au和阻挡层厚度取决于应用。通常,对于Au线键合,至少需要0.5µm的Au。对于Pt或PD阻挡层,通常规定较小值为0.2µm。部件的正面和背面可以使用预先钻出的金属化通孔进行电互连。典型孔径=基材厚度。也可以用围绕一个或多个侧壁以连接顶面和底面的金属化来制造平底座。在适当考虑工艺限制和成本的情况下,也可以在图案化的安装件上实现环绕连接。

AlN激光二极管载体 - 金属化规格书

AlN激光二极管载体 - 金属化厂家介绍

成立于1966年的LEW Technologies首次为微波行业生产微型元件。到20世纪80年代初,我们参与了光电设备的开发,为早期的跨大西洋光纤电话电缆和英国#先进#条长途光纤陆线提供了组件。 今天,我们是一家成熟的专业制造商,生产各种高科技电子应用的金属化陶瓷和金属部件和组件。我们与所有客户在设计、生产、质量、交付和成本方面建立了合作伙伴关系,每种产品都是为了满足每个客户的需求。

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