KAUST的科学家们展示了一种改变紧凑型半导体激光器的简单方法，使其在照明和全息摄影方面更加实用。这项研究发表在《Optica》杂志上。
全部产品分类
640nm BDL-SMN 皮秒/连续二极管激光器
立即咨询
获取报价
收藏 
下载规格书
获取报价 收藏 下载规格书 更新时间：2024-04-19 14:40:59
型号:
640nm BDL-SMN 皮秒/连续二极管激光器概述
由Becker Hickl-BH设计和制造，提供波长从NUV到NIR的多个皮秒二极管激光器。所有激光器都具有简单的+12V电源、高重复率、短脉冲宽度和极低的电噪声水平。完整的驱动器电子设备集成在激光模块中。所有BH二极管激光模块均与BH TCSPC模块直接兼容。
640nm BDL-SMN 皮秒/连续二极管激光器参数
- 输出功率 / Output Power (avg): : 0.5W
- 激光波长 / Wavelength: : 0.64um
- 脉宽 / Pulse Duration: : 0.04 - 0.3 ns
- 中心波长附近的调谐范围 / Tuning Range Around Center Wavelength: : Not Applicable
640nm BDL-SMN 皮秒/连续二极管激光器规格书
640nm BDL-SMN 皮秒/连续二极管激光器厂家介绍
Becker&Hickl公司成立于1993年，该公司推出了一种专有的时间相关单光子计数原理，其速度比现有设备快100多倍。此外，BH引入了多维TCSPC过程，该过程不仅记录光子与信号周期中的时间的关系，还记录光子与其他参数的关系，例如实验时间、波长或空间坐标。BH设备被设计为记录多维光子分布、时间分辨图像、光子分布序列或多维时间标签数据。BH TCSPC产品由BH皮秒二极管激光器、探测器模块、多光谱探测器组件和实验控制模块补充。
相关内容
相关产品
图片名称分类制造商参数描述
- LDX-3A20-808: 808nm Multimode Laser Diode半导体激光器RPMC Lasers Inc.
输出功率: 10000mW
该808nm二极管激光器从自由空间封装中的200um发射器产生10000mW或从光纤耦合封装中的光纤产生8000mW。它具有低阈值电流和高斜率效率，这导致了增强可靠性的低工作电流。
- Intense 2675-2S半导体激光器Intense Limited
波长: 905 nm输出功率: 150 to 225 W
Intense Limited的Intense 2675-2S是一款激光二极管，波长为905 nm，输出功率为150至225 W，输出功率为150至225 W，工作电流为30 A，工作电流为30 A.Intense 2675-2S的更多详情见下文。
- I1030SB0100PA半导体激光器Innovative Photonic Solutions
波长: 1030 nm输出功率: 0.1 W
Innovative Photonic Solutions的I1030SB0100PA是一款激光二极管，波长为1030 nm，输出功率为0.1 W，工作电压为2.2 V，工作电流为0.4 A，输出功率（CW）为0.1 W.有关I1030SB0100PA的更多详细信息，请参见下文。
- AF4B114AA75L半导体激光器Anritsu Corporation
波长: 1460 to 1490 nm输出功率: 0.14 W
来自Anritsu Corporation的AF4B114AA75L是波长为1460至1490nm、输出功率为0.14W、工作电压为2.5V、阈值电流为50mA、输出功率（CW）为0.14W的激光二极管。AF4B114AA75L的更多细节可以在下面看到。
- T85E-XYZ-WM半导体激光器Lasermate Group
波长: 840 to 860 nm输出功率: 1 mW
Lasermate Group的T85E-XYZ-WM是一款激光二极管，波长为840至860 nm，输出功率为1 MW，工作电压为2.2至2.5 V，工作电流为30 mA.有关T85E-XYZ-WM的更多详细信息，请参阅下文。
相关文章
锥形光纤是提供高能量、高光束质量的超快激光器的潜在器件
用于光通信和长距离激光雷达的具有极低多余噪声的新型光电二极管
光脉冲以闪光的形式出现，用于在高速光纤中传输信息，并越来越多地用于光探测和测距（LIDAR）的3维成像。
以氮化镓为基础的led的开发和制造企业、高亮度蓝光和白光led的发明者日亚半导体(Nichia)开始了高功率红光激光二极管(LD)芯片的自主生产。这家总部位于日本的公司将从2024年春季开始销售包括新型红光LD芯片在内的激光封装产品。