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钽酸锂热释电检测器 光电探测器

钽酸锂热释电检测器

分类: 光电探测器

厂家: Laser Components

产地: 德国

更新时间: 2024-06-12 14:22:00

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概述

钽酸锂(LiTaO3/LTO)是在许多非色散应用中较广泛使用的热释电材料,并且由于其与其他热探测器相比具有相对较高的性能和较低的成本而作为脉冲激光系统的功率监测器。LiTaO3热释电探测器在电流模式下有单通道和双通道版本。一致的温度曲线和低功耗使该器件在工业应用中广受欢迎。当与针对特定气体管线的窄带通IR滤波器结合时,多通道检测器在气体感测中较常见。基于NDIR检测方法,可以制造出非常紧凑的气体传感器。

参数

  • 探测器类型 / Detector Type : Pyroelectric
  • 尺寸 / Size : 2.7mm
  • 噪声等效功率 / Noise Equivalent Power : 50uW

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厂家介绍

在激光组件中,稳定性、连续性和以长期成功为目标的决策与动态性、灵活性、浅层次结构和短决策过程相结合。在家族企业中,这不是矛盾,而是两代人和谐合作,带领公司走向未来的结果。

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图片 名称 分类 制造商 参数 描述
  • 2-Color Ratio Fiber Optic Infrared Temperature Measurement and Control System iR2 光电探测器 双色比的光纤红外测温和控制系统iR2 光电探测器 Newport Electronics Inc

    探测器类型: Thermal Absorber (thermopile) 光谱范围: 0.8 - 1.7 um 尺寸: 62mm

    Newport©IR2™系列是较先进的仪器,适用于困难和苛刻的高温(300°C-3000°C)应用。它非常适合涉及金属、玻璃、半导体等的测量和控制应用。IR2速度极快,精度极高,响应时间为10毫秒,精度为满量程的0.2%。尽管IR2具有非凡的技术先进性和性能,但它也具有令人难以置信的用户友好性和简单的配置。IR2享有5年延长保修。

  • 25 Gbit-s p-i-n Photodiode Chips And Photodiode Array Chips 850 nm 光电探测器 25 Gbit-s p-i-n光电二极管芯片和光电二极管阵列芯片850纳米 光电探测器 Connector Optics LLC

    二极管类型: InGaAs 工作波长: 850nm

    我们的紧凑型、顶部发光、低电容、高速GaAs基p-I-n光电二极管(PD)芯片和PD阵列芯片可作为工程样品提供,非常适合850 nm范围的光数据通信系统、光学互连和一般研发应用。PDS具有一系列光学孔径直径(15至50µm),既可作为单独的芯片,也可作为1×N(N=1,2,4,12)线性阵列,允许与单模或多模BER对准。坚固的PD芯片可以是线或IP芯片键合的。

  • 4, 8, 12, or 16 Element Monolithic Linear Array 光电探测器 4、8、12或16个元素的单片线性阵列 光电探测器 GPD Optoelectronics Corp

    二极管类型: Other 工作波长: 1650nm

    线性阵列

  • AP-15G PbS Detector For 1-3.1µm 光电探测器 AP-15G 用于1-3.1微米的PbS检测器 光电探测器 AP Technologies Ltd

    二极管类型: PbS 工作波长: 1000nm

    A系列单通道红外探测器集成了PBS技术和成熟的制造工艺,可在1至3微米的光谱范围内提供较高灵敏度的探测器。此外,该产品线较大限度地降低了维护成本,并以行业领先的质量、耐用性和可靠性提供可靠的操作。当今许多要求苛刻的应用,包括工业、环境和医疗应用,都需要高性能。A系列红外探测器在更紧密的光谱带中提供更高的灵敏度,满足探测痕量元素、气体、火灾、火焰和排放物的挑战。

  • AP-25G PbS Detector For 1-3.1µm 光电探测器 用于1-3.1微米的AP-25G铅酸蓄电池检测器 光电探测器 AP Technologies Ltd

    二极管类型: PbS 工作波长: 1000nm

    A系列单通道红外探测器集成了PBS技术和成熟的制造工艺,可在1至3微米的光谱范围内提供较高灵敏度的探测器。此外,该产品线较大限度地降低了维护成本,并以行业领先的质量、耐用性和可靠性提供可靠的操作。当今许多要求苛刻的应用,包括工业、环境和医疗应用,都需要高性能。A系列红外探测器在更紧密的光谱带中提供更高的灵敏度,满足探测痕量元素、气体、火灾、火焰和排放物的挑战。

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