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下载规格书 激光气体分析仪可进行高灵敏度和高选择性的气体检测。这种检测方法的多组分能力和宽动态范围有助于分析浓度范围较宽的混合气体。由于这种方法无需进行样品制备或预浓缩，因此易于在实验室或工业中采用。
全部产品分类
概述
Ushio Opto Semiconductor（USHIO/OPNEXT激光二极管）提供405nm至850nm的各种功率水平。HL40033G（1000mW，405nm）紫光二极管是成像、生物医学和工业应用的理想选择。还提供HL40071MG，这是Ushio的一款新型单模405nm二极管，较大功率为300 MW。Ushio红色激光二极管的波长范围为633nm至690nm。高功率红色激光二极管HL63290HD、HL63520HD提供超过2 W的功率，可用于投影仪应用。HL65014DG是一种功率为150mW的单模红色激光二极管，可用作光学仪器的光源。Ushio红外和近红外激光二极管可用于705nm、730nm、830nm和850nm。World Star Tech拥有大多数Ushio激光二极管的大量库存。World Star Tech可提供Ushio激光二极管的波长测量和选择。此外，还可以较低的额外成本提供激光二极管的完整特性，这将使制造更加可靠和容易。波长、激光阈值电流、激光斜率效率、激光电压和监控二极管信息将与测量数据一起提供。请联系我们了解您的激光二极管要求。HL8341MG激光二极管具有。HL8341MG使用寿命长，输出功率稳定，是要求可靠运行的应用的理想选择。
参数
- 中心波长 / Center Wavelength: : 0.852um
- 输出功率 / Output Power: : 50mW
规格书
厂家介绍
成立于1996年，专注于传感器、测量、生物医学和激光照明领域的激光应用。今天，我们是激光模块和激光传感器的领先制造商和设计商。我们的产品线包括从405 nm到1064 nm的各种功率范围的激光模块和系统。我们经验丰富、技术精湛的专业技术人员将帮助您解决较复杂的激光设计问题。
相关产品
图片名称分类制造商参数描述
- 455nm 1.6W Laser Diode半导体激光器BeamQ Inc.
输出功率: 1600mW
这是一种高功率激光二极管。 它的完美性能值得购买。 规格：波长：455nm 电流：0.2A 输出功率：1.6W 工作电压：4.8V
- 4mW 670nm iFLEX2000 Fiber coupled laser半导体激光器Qioptiq
输出功率: 4mW
IFLEX2000TM是一款紧凑型激光二极管系统，采用模块化单模光纤传输系统。作为主动温度控制的直接结果，激光器是无跳模和波长稳定的。闭环控制提供了长期的功率稳定性和通过外部输出信号监控功率的能力。激光到光纤耦合器的运动学设计为单模和保偏光纤设计提供了真正的“即插即用”优势。亚微米重复性和亚微弧度稳定性意味着系统可以是“工厂设置”，并且对于多次移除和插入操作是稳定的。激光和光纤系统还针对不匹配的激光模块进行了优化，从而为仪器设计提供了真正的模块化和易更换性。
- CHP-121半导体激光器SemiNex Corporation
波长: 1550 nm输出功率: 2.5 W
CHP-121是Seminex公司生产的波长为1550nm、输出功率为2.5W、工作电压为1.7V、工作电流为14A、阈值电流为500mA的激光二极管。有关CHP-121的更多详细信息，请参见下文。
- HL40065MG半导体激光器Ushio Inc.
波长: 400 to 410 nm输出功率: 700 mW
Ushio Inc.生产的HL40065MG是一款激光二极管，波长为400至410 nm，输出功率为700 MW，工作电压为3.8至4.7 V，工作电流为450至700 mA.有关HL40065MG的更多详细信息，请参阅下文。
- IND02L900D102半导体激光器II-VI Incorporated
波长: 1313.73 nm波长: 见下表
来自II-VI Incorporated的IND02L900D102是波长为1313.73nm、工作电压为1.6V、工作电流为60至80mA、阈值电流为5至17mA的激光二极管。有关IND02L900D102的更多详细信息，请参阅下文。
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半导体激光器是通过半导体中电荷载流子对的辐射再结合产生的。与传统的激光系统相比，它们的效率更高，成本更低，所需的功率也更小，因此成为制造业、医药和能源领域的热门选择。