
APD10G0-30DPLED驱动器芯片
分类: LED驱动器芯片
厂家: Integrated Compound Semiconductors (ICS)
产地: 英国
型号: APD10G0-30DP
更新时间: 2025-03-20 09:52:41
光电探测器 单模光纤 高速通信 雪崩光电二极管



参数
- 反向最大光电流 / Reverse Max Photocurrent : 3 mA
- 响应度 / Responsivity : 8-10 A/W
- 击穿电压 / Breakdown Voltage : 26-30 V
- 电容 / Capacitance : 120-140 fF
- 3dB截止频率 / 3dB-Cut-Off Frequency : 6.2-6.5 GHz
- ESD等级 / ESD Rating : 500 V
- 光窗口直径 / Optical Window Diameter : 29-31 μm
- 芯片尺寸 / Die Size : 380x380-400x400 μm2
- 阳极垫尺寸 / Pad Size (Anode) : 128x88-132x92 μm2
- 阴极垫尺寸 / Pad Size (Cathode) : 318x88-322x92 μm2
- 芯片宽度 / Die Width : 380-400 μm
- 芯片长度 / Die Length : 380-400 μm
- 芯片厚度 / Die Thickness : 140-160 μm
应用
1. 单模通信光纤 2. 数据中心 3. 高速通信系统
特征
1. 极低的电容 2. 低暗电流 3. 大带宽 4. 优化的芯片布局
详述
APD10G0-30DP是一款专为高速通信设计的雪崩光电二极管,采用MESA结构,具有30µm的光学窗口直径。该产品的设计优化了单模通信光纤的性能,支持1260nm至1620nm的波长范围,能够实现高达10Gbps的数据传输速率。其极低的暗电流和电容特性使其在高频应用中表现出色,适合各种通信和数据中心应用。产品的电气和光学特性经过严格测试,确保可靠性和稳定性。无论是在数据中心还是在其他高速通信系统中,APD10G0-30DP都能提供卓越的性能,满足现代通信的需求。
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规格书
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