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APA4401120001 半导体激光器

APA4401120001

分类: 半导体激光器

厂家: II-VI Laser Enterprise GmbH

产地: 美国

型号: APA4401120001

更新时间: 2024-08-27 15:42:24

850nm 14Gb/s Dual Top Contact Multimode VCSEL Array

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概述

来自II-VI Incorporated的APA4401120001是波长为840nm、850nm、860nm的激光二极管,输出功率为1.3至2.2mW,工作电压为2.2V,阈值电流为0.3至1.3mA.有关APA4401120001的更多详细信息,请联系我们。

参数

  • 技术 / Technology : Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL)
  • 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
  • 输出功率 / Output Power : 1.3 to 2.2 mW
  • 工作电压 / Operating Voltage : 2.2 V
  • 阈值电流 / Threshold Current : 0.3 to 1.3 mA
  • 激光颜色 / Laser Color : Infrared
  • 类型 / Type : Free Space Laser Diode
  • RoHS / RoHS : Yes
  • 阈值电流 / Threshold Current : 0.3-1.3mA
  • 斜率效率 / Slope Efficiency : 0.35-0.65mW/mA
  • 光输出功率 / Optical Output Power : 1.3-2.2mW
  • 工作电压 / Operating Voltage : 2.2V
  • 差分电阻 / Differential Resistance : 45-75Ω
  • 发射波长 / Emission Wavelength : 840-860nm
  • 谱宽度,RMS / Spectral Width, RMS : 0.65nm
  • 调制带宽 / Modulation Bandwidth : 12-14GHz
  • 电容 / Capacitance : 0.2pF
  • 光束发散度 / Beam Divergence : 28-33°
  • 相对强度噪声 / Relative Intensity Noise : -128dB/Hz
  • 阈值均匀性 / Threshold Uniformity : 0.15mA
  • 斜率效率均匀性 / Slope Efficiency Uniformity : 0.05mW/mA
  • 波长调谐系数 / Wavelength Tuning Coefficient : 0.06nm/K
  • 斜率效率变化 / Slope Efficiency Variation : -0.45--0.1%/K
  • 热阻 / Thermal Impedance : 3.0K/mW
  • 光输出功率 / Optical Output Power (Absolute Maximum Ratings) : 8mW
  • 峰值正向电流 / Peak Forward Current (Absolute Maximum Ratings) : 12mA
  • VCSEL反向电压 / VCSEL Reverse Voltage : 5V
  • 工作温度 / Operating Temperature : 0-85°C
  • 储存温度 / Storage Temperature : -40-100°C
  • 安装温度 / Mounting Temperature : 260°C
  • 芯片外部尺寸长度 / Die Length : 210-3000µm
  • 芯片外部尺寸宽度 / Die Width : 260-300µm
  • 芯片外部尺寸高度 / Die Height : 135-165µm

应用

1.单通道和并行光纤光通信链路 2.智能电缆,消费类应用

特征

1.850nm多模发射 2.低电流阈值和工作电流 3.高可靠性 4.适应高湿度环境 5.低电气寄生效应 6.支持直流至14Gb/s的数据速率 7.双顶接触配置,公共阴极电极 8.可作为单芯片、4通道和12通道阵列提供 9.符合RoHS标准

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厂家介绍

II-VI 公司现在是Coherent公司。我们之所以选择“连贯”这个名字,是因为它的意思是: 把事物联系在一起。这个新的公司名称和身份代表了我们在行动上的团结,明确的目标,以及与客户更广泛的合作意识。通过我们在材料、网络和激光方面的突破性产品和技术,连贯性赋予市场创新者力量。

连贯性使市场创新者能够通过突破性技术(从材料到系统)来定义未来。我们为工业、通信、电子和仪器市场提供与客户产生共鸣的创新产品。总部位于宾夕法尼亚州 Saxonburg,在全球拥有研发、制造、销售、服务和分销设施。

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图片 名称 分类 制造商 参数 描述
  • 100mW iFLEX-iRIS - 405nm 半导体激光器 100mW iFLEX-iRIS - 405nm 半导体激光器 Excelitas Technologies

    输出功率: 100mW

    Qioptiq iFLEX虹膜™固态激光系统在小型封装中提供高性能稳定性和低振幅噪声。它们非常适合集成到要求高性能但需要保持较小形状系数的仪器中。由于主动温度控制,激光器无模式跳变,波长稳定。所有CW iFLEX iRIS激光器都使用内部反馈回路在自动功率控制模式下工作。此功能可提供高度稳定的输出功率,并确保在产品的整个使用寿命内保持高功率稳定性。

  • 100mW iFLEX-iRIS - 830nm 半导体激光器 100mW iFLEX-iRIS - 830nm 半导体激光器 Excelitas Technologies

    输出功率: 100mW

    Qioptiq iFlex-IRIS™固态激光系统在小型化封装中提供高性能稳定性和低振幅噪声。它们非常适合集成到需要高性能但又需要保持小尺寸的仪器中。作为主动温度控制的结果,激光器是无跳模和波长稳定的。所有CW IFLEX-IRIS激光器均使用内部反馈回路在自动功率控制模式下工作。此功能提供高度稳定的输出功率,并确保在整个产品生命周期内保持高功率稳定性能。

  • 10.26 μm DISTRIBUTED FEEDBACK (DFB) QCL 半导体激光器 10.26 μm 分布式反馈(DFB)QCL 半导体激光器 AdTech Optics Inc.

    输出功率: 59.3mW

    10.26μm分布反馈(DFB)QCL.

  • 1030nm Single-Frequency Fiber Coupled 14-Pin BF 半导体激光器 1030纳米单频光纤耦合14引脚BF 半导体激光器 Innovative Photonic Solutions

    波长: 1030nm 输出功率: 280mW

    创新的光子解决方案单模波长稳定激光器具有高输出功率、超窄光谱带宽和衍射受限的输出光束。单模光谱稳定激光器专为取代昂贵的DFB、DBR、光纤和外腔激光器而设计,在时间、温度(0.007 nm/0C)和振动方面具有出色的波长稳定性,并且可满足较苛刻的波长要求。单模光谱稳定激光器的波长范围为633 nm–2400 nm(上述标准波长),采用14引脚蝶形封装、集成OEM模块或带有用户可配置温度和功率控制电子设备的完全集成模块。激光波长可以精确指定并重复制造到0.1nm以内。该激光器是高分辨率拉曼光谱、共焦显微镜、直接二极管倍频、激光播种、气体传感、计量和遥感应用的理想选择。

  • 1053nm Single-Frequency Fiber Coupled 14-Pin BF 半导体激光器 1053纳米单频光纤耦合14引脚BF 半导体激光器 Innovative Photonic Solutions

    波长: 1053nm 输出功率: 300mW

    创新的光子解决方案单模波长稳定激光器具有高输出功率、超窄光谱带宽和衍射受限的输出光束。单模光谱稳定激光器专为取代昂贵的DFB、DBR、光纤和外腔激光器而设计,在时间、温度(0.007 nm/0C)和振动方面具有出色的波长稳定性,并且可满足较苛刻的波长要求。单模光谱稳定激光器的波长范围为633 nm–2400 nm(上述标准波长),采用14引脚蝶形封装、集成OEM模块或带有用户可配置温度和功率控制电子设备的完全集成模块。激光波长可以精确指定并重复制造到0.1nm以内。该激光器是高分辨率拉曼光谱、共焦显微镜、直接二极管倍频、激光播种、气体传感、计量和遥感应用的理想选择。

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