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OD-663-850 发光二极管

OD-663-850

分类: 发光二极管

厂家: Opto Diode

产地: 美国

型号: OD-663-850

更新时间: 2024-08-23 03:32:56

TO-66 Package 850 nm Emitter

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概述

来自Opto Diode Corporation的OD-663-850是GaAIAS IR LED,其提供425mW的输出功率,具有850nm的峰值发射波长。该LED在50%处提供40nm的光谱带宽,并且呈现120度的半强度光束角。它要求正向电压为5.4 V,反向电压为30 V,连续正向电流为400 mA,峰值正向电流高达1 A.该LED采用2引脚TO-66电气隔离封装,非常适合夜视照明。

参数

  • 芯片技术 / Chip Technology : GaAlAs
  • 颜色 / Colors : Infrared
  • 无铅 / pb Free : Yes
  • RoHS / RoHS : Yes
  • 正向电压 / Forward Voltage : 4.8 to 5.4 V
  • 波长 / Wavelength : 850 nm

规格书

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厂家介绍

位于加利福尼亚州卡马里洛的Opto Diode Corporation在提供业界较为领先的传感器、光电二极管、探测器和LED方面有着悠久的历史。光电二极管产品采用标准和定制设计,30多年来一直为光子学行业提供支持,并以高性能、卓越品质和可靠性赢得了良好声誉。随着2011年收购International Radiation Detectors(IRD)和2014年合并Cal Sensors(CSI),Opto Diode现在提供从电磁波谱的极紫外到中红外(Mid-IR)区域的行业领先性能探测器。我们的产品提供一流的高能粒子、电子、X射线和紫外线探测,以及卓越的灵敏度,以区分痕量气体或探测中红外光谱中的热量、火花或火焰。辅以辐射范围为365nm至940nm的高性能LED和覆盖1µm至10µm的红外发射器,我们支持各种细分市场和应用。

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