全部产品分类
ODD-8SMD 通用型SMD光电二极管 光电探测器

ODD-8SMD 通用型SMD光电二极管

立即咨询获取报价获取报价收藏 收藏 下载规格书 下载规格书
美国
分类:光电探测器
厂家:Opto Diode

更新时间:2024-04-19 14:40:59

型号:

ODD-8SMD 通用型SMD光电二极管概述

光电二极管表面贴装光电二极管,适用于OEM、工业和科学应用。

ODD-8SMD 通用型SMD光电二极管参数

  • 二极管类型 / Diode Type: : Si
  • 工作波长 / Wavelength Of Operation: : 120 - 1150nm

ODD-8SMD 通用型SMD光电二极管图片集

ODD-8SMD 通用型SMD光电二极管图1
ODD-8SMD 通用型SMD光电二极管图2

ODD-8SMD 通用型SMD光电二极管规格书

ODD-8SMD 通用型SMD光电二极管厂家介绍

位于加利福尼亚州卡马里洛的Opto Diode Corporation在提供业界较为领先的传感器、光电二极管、探测器和LED方面有着悠久的历史。光电二极管产品采用标准和定制设计,30多年来一直为光子学行业提供支持,并以高性能、卓越品质和可靠性赢得了良好声誉。随着2011年收购International Radiation Detectors(IRD)和2014年合并Cal Sensors(CSI),Opto Diode现在提供从电磁波谱的极紫外到中红外(Mid-IR)区域的行业领先性能探测器。我们的产品提供一流的高能粒子、电子、X射线和紫外线探测,以及卓越的灵敏度,以区分痕量气体或探测中红外光谱中的热量、火花或火焰。辅以辐射范围为365nm至940nm的高性能LED和覆盖1µm至10µm的红外发射器,我们支持各种细分市场和应用。

相关内容

相关产品

图片名称分类制造商参数描述
  • 光电查
    AP-35 PbS Detector For 1-3.1µm光电探测器AP Technologies Ltd

    A系列单通道红外探测器集成了PBS技术和成熟的制造工艺,可在1至3微米的光谱范围内提供较高灵敏度的探测器。此外,该产品线较大限度地降低了维护成本,并以行业领先的质量、耐用性和可靠性提供可靠的操作。当今许多要求苛刻的应用,包括工业、环境和医疗应用,都需要高性能。A系列红外探测器在更紧密的光谱带中提供更高的灵敏度,满足探测痕量元素、气体、火灾、火焰和排放物的挑战。

  • 光电查
    UPD-200-SP光电探测器ALPHALAS

    光电探测器类型: Avalanche波长范围: 320 to 1100 nm

    来自AlphaLas的UPD-200-SP是波长范围为320至1100nm、上升时间为175ps、暗电流为0.001nA、带宽为2GHz、有源区直径为0.126mm的光学探测器。有关UPD-200-SP的更多详细信息,请参阅下文。

  • 光电查
    LME-302光电探测器InfraTec

    Infratec的LME-302是一款光学探测器,响应度/光敏电压响应度(RMS):340 V/W.LME-302的更多详细信息见下文。

  • 光电查
    热释电激光探测器 420M7-25光电探测器Eltec Instruments Inc

    型号420M7由单个钽酸锂传感元件组成,密封在TO - 5型晶体管外壳中,并带有光学滤波器(可选)。 采用一种特殊的元件安装技术对传感元件进行散热,允许其在高功率水平下进行检测。 在低负载(50Ω)的情况下,快速脉冲分辨率是可实现的。采用ELTEC Model320阻抗变换器等高阻抗变换器可实现集成模式。

相关文章

  • 光电探测器:单次测量实现高维光探测

    由中国科学院长春光学精密机械与物理研究所(CIOMP)李伟教授领导的国际合作团队在《自然》杂志上发表的一项新研究介绍了一种新型小型化光电探测器,该探测器能够通过单一设备和单一测量来表征宽带频谱上的任意偏振态。

  • 单质子照亮钙钛矿纳米晶基透射薄闪烁体

    新加坡国立大学(NUS)的研究人员利用钙钛矿纳米晶体开发了一种透射式薄闪烁体,用于实时跟踪和计数单个质子。这种特殊的灵敏度归因于质子诱导的上转换和冲击电离产生的双激子辐射发射。

  • 什么是比尔-朗伯特定律(Beer-Lambert's Law)?

    比尔-朗伯特定律是朗伯特定律(1730年)和比尔定律(1850年)的结合,它制约着低浓度的分子对光辐射的吸收。

  • 宽带光电探测器用二维半导体的替代掺杂

    这项题为 "具有增强的B-外激子发射和宽光谱响应的V-掺杂MoS2单层的气相生长 "的研究成果于2023年12月7日发表在《光电子学前沿》(Frontiers of Optoelectronics)上。这项研究为不断发展的二维半导体及其对光电技术的潜在影响提供了宝贵的见解。