由中国科学院上海微系统与信息技术研究所(SIMIT)游力行研究员和李浩研究员领导的团队采用了一种新颖的差分读出方法,研究了有人工几何约束和无人工几何约束的SNSPD中iDC的空间分布。这种方法可以精确描述 iDCs 的空间来源,揭示探测器内微小几何约束的重要影响。
概述
参数
- 二极管类型 / Diode Type : Si
- 工作波长 / Wavelength Of Operation : 300 - 1100nm
规格书
厂家介绍
位于加利福尼亚州卡马里洛的Opto Diode Corporation在提供业界较为领先的传感器、光电二极管、探测器和LED方面有着悠久的历史。光电二极管产品采用标准和定制设计,30多年来一直为光子学行业提供支持,并以高性能、卓越品质和可靠性赢得了良好声誉。随着2011年收购International Radiation Detectors(IRD)和2014年合并Cal Sensors(CSI),Opto Diode现在提供从电磁波谱的极紫外到中红外(Mid-IR)区域的行业领先性能探测器。我们的产品提供一流的高能粒子、电子、X射线和紫外线探测,以及卓越的灵敏度,以区分痕量气体或探测中红外光谱中的热量、火花或火焰。辅以辐射范围为365nm至940nm的高性能LED和覆盖1µm至10µm的红外发射器,我们支持各种细分市场和应用。
相关产品
-
双色比的光纤红外测温和控制系统iR2
光电探测器
Newport Electronics Inc
探测器类型: Thermal Absorber (thermopile) 光谱范围: 0.8 - 1.7 um 尺寸: 62mm
Newport©IR2™系列是较先进的仪器,适用于困难和苛刻的高温(300°C-3000°C)应用。它非常适合涉及金属、玻璃、半导体等的测量和控制应用。IR2速度极快,精度极高,响应时间为10毫秒,精度为满量程的0.2%。尽管IR2具有非凡的技术先进性和性能,但它也具有令人难以置信的用户友好性和简单的配置。IR2享有5年延长保修。
-
25 Gbit-s p-i-n光电二极管芯片和光电二极管阵列芯片850纳米
光电探测器
Connector Optics LLC
二极管类型: InGaAs 工作波长: 850nm
我们的紧凑型、顶部发光、低电容、高速GaAs基p-I-n光电二极管(PD)芯片和PD阵列芯片可作为工程样品提供,非常适合850 nm范围的光数据通信系统、光学互连和一般研发应用。PDS具有一系列光学孔径直径(15至50µm),既可作为单独的芯片,也可作为1×N(N=1,2,4,12)线性阵列,允许与单模或多模BER对准。坚固的PD芯片可以是线或IP芯片键合的。
-
4、8、12或16个元素的单片线性阵列
光电探测器
GPD Optoelectronics Corp
二极管类型: Other 工作波长: 1650nm
线性阵列
-
AP-15G 用于1-3.1微米的PbS检测器
光电探测器
AP Technologies Ltd
二极管类型: PbS 工作波长: 1000nm
A系列单通道红外探测器集成了PBS技术和成熟的制造工艺,可在1至3微米的光谱范围内提供较高灵敏度的探测器。此外,该产品线较大限度地降低了维护成本,并以行业领先的质量、耐用性和可靠性提供可靠的操作。当今许多要求苛刻的应用,包括工业、环境和医疗应用,都需要高性能。A系列红外探测器在更紧密的光谱带中提供更高的灵敏度,满足探测痕量元素、气体、火灾、火焰和排放物的挑战。
-
用于1-3.1微米的AP-25G铅酸蓄电池检测器
光电探测器
AP Technologies Ltd
二极管类型: PbS 工作波长: 1000nm
A系列单通道红外探测器集成了PBS技术和成熟的制造工艺,可在1至3微米的光谱范围内提供较高灵敏度的探测器。此外,该产品线较大限度地降低了维护成本,并以行业领先的质量、耐用性和可靠性提供可靠的操作。当今许多要求苛刻的应用,包括工业、环境和医疗应用,都需要高性能。A系列红外探测器在更紧密的光谱带中提供更高的灵敏度,满足探测痕量元素、气体、火灾、火焰和排放物的挑战。
相关文章
-
-
混合过氧化物材料被广泛认为对下一代光子技术有重大的实际影响。由于其独特和更好的光电特性,铅基材料是最常见的。然而,人们认为铅的毒性很高,这可能会减缓甚至阻碍商业化的速度,因此对这些器件中存在的铅提出了一些质疑。
-
光电探测器也被称为光敏器,将光能转变为电信号。多年来,科学家们一直设想开发新型检测器,以发展卓越的太阳能电池。
-
近红外(NIR)高光谱成像是一种非常有前途的探测技术,能够捕获详细的3D光谱空间信息,促进基于其光谱特征的材料和目标的识别和表征。
加载中....