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下载规格书 用于光通信和长距离激光雷达的具有极低多余噪声的新型光电二极管
光脉冲以闪光的形式出现，用于在高速光纤中传输信息，并越来越多地用于光探测和测距（LIDAR）的3维成像。
全部产品分类
概述
参数
- 激光类型 / Laser Type: : Modulated
- 纤维类型 / Fiber Type: : Single Mode
- 波长 / Wavelength: : 657nm
- 输出功率 / Output Power: : 7000mW
图片集
规格书
厂家介绍
Necsel总部位于硅谷，设计和制造高功率可见激光。在世界较大的特种光源制造商之一Ushio Inc.的资金支持下，Necsel已成为可见光激光系统解决方案的领先者。Necsel独特的专利技术改变了电影放映和专业照明市场。
我们的愿景是成为全球较大的大型场馆投影和远程光源照明市场的激光光源解决方案提供商。
相关产品
图片名称分类制造商参数描述
- FDL-850-2W-TA Tapered Amplifier for MOPA半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 2000mW
GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近2000W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA（主振荡器功率放大器）。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层，以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPA装置的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光阱或拉曼光谱。
- Seminex Multi-Mode Laser Chip 1480nm 5W半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 5000mW
Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时，我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计，以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试，以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。
- S1 - QCW半导体激光器Leonardo Electronics US
波长: 830 to 1100 nm输出功率: 80 to 100 W
美国Leonardo Electronics公司的S1-QCW是一种激光二极管，其波长为830至1100 nm，输出功率为80至100 W，工作电压为1.85至2 V，工作电流为95至330 A，阈值电流为10000至28000 mA.下面可以看到S1-QCW的更多详细信息。
- RLD90QZW8半导体激光器ROHM Semiconductor
波长: 905 nm输出功率: 120 W
Rohm的RLD90QZW8是一款脉冲激光二极管，工作波长为905 nm.它产生峰值输出功率为120W的窄光发射图案，并且具有±150μm的发射点精度。该激光二极管的孔径为270×10μm，光束发散度为10度（平行）和25度（垂直）。阈值电流为1 A，正向电压为16 V，正向电流为42 A.该激光二极管采用φ5.6mm CAN封装，非常适合车载激光雷达、自动导引车（AGV）、TOF传感器和安防应用。
- LD63D5S-A/B/C半导体激光器First Sensor
波长: 630 to 640 nm输出功率: 0.005 W
第一个传感器的LD63D5S-A/B/C是波长为630至640nm的激光二极管，输出功率为0.005W，工作电压为2.2至2.7V，工作电流为0.027至0.045A，阈值电流为23至35mA.有关LD63D5S-A/B/C的更多详细信息，请参阅下文。
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在斯特拉斯克莱德大学领导的研究中，能够反射或操纵光线的激光驱动的 "镜子 "已经产生。
人们对各种半导体激光器的外部光反馈效应进行了深入研究 [1] - [3]。从法布里-珀罗（FP）激光器到 DFB 和 DBR 激光器，这些反馈效应对所有半导体激光器都有同样的影响。 有五种反馈状态决定了半导体在外部反馈下的工作方式。
对来自 光纤耦合半导体激光管的光进行调制的最后一个解决方案是使用脉冲控制电子设备的电流驱动器进行直接调制。