收藏 
下载规格书 由于成熟的硅工艺技术、大尺寸硅片和硅的光学特性，硅（Si）光子学最近已成为许多应用领域的关键使能技术。然而，由于硅基材料无法有效发光，因此需要使用其他半导体作为光源。
全部产品分类
1550纳米高亮度脉冲激光二极管概述
OSI激光二极管公司提供极高亮度的CVLL 1550nm脉冲激光二极管，功率高达75瓦。
1550纳米高亮度脉冲激光二极管参数
- 输出功率 / Output Power (avg): : 125W
- 激光波长 / Wavelength: : 1.550um
- 脉宽 / Pulse Duration: : 150 - 150 ns
- 中心波长附近的调谐范围 / Tuning Range Around Center Wavelength: : <= 200nm
1550纳米高亮度脉冲激光二极管规格书
1550纳米高亮度脉冲激光二极管厂家介绍
OSI激光二极管公司（LDI）成立于1967年，为广泛的应用和行业生产较高质量的先进光电产品。我们较先进的制造、先进的产品开发和质量计划，加上我们持续的流程改进，体现了我们的领导、可靠性和诚信原则。
相关内容
相关产品
图片名称分类制造商参数描述
- HL6748MG AlGaInP Laser Diode半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 10mW
HL6748Mg AlGaInP半导体激光器
- LDX-2803-1550: 1550nm 650mW Multimode Laser Diode半导体激光器RPMC Lasers Inc.
输出功率: 650mW
这些高功率激光二极管以低阈值电流和高斜率效率为特征，导致低工作电流，增强了可靠性。如有需要，可提供标准封装类型和自定义封装。适用于各种光电应用。
- S810500MG半导体激光器Roithner Lasertechnik
波长: 807 to 813 nm输出功率: 0.5 W
Roithner Lasertechnik公司的S810500MG是一种波长为807至813 nm的激光二极管，输出功率为0.5 W，工作电压为1.9 V，工作电流为0至0.56 A，阈值电流为70 mA.有关S810500MG的更多详细信息，请参阅下文。
- GC-800-40-TO-100-B半导体激光器Innolume
波长: 800 nm输出功率: 0.08 to 0.11 W
来自Innolume的GC-800-40-to-100-B是一款激光二极管，波长为800 nm，输出功率为0.08至0.11 W，工作电流为0.25至0.25 A，输出功率（CW）为0.08到0.11 W.有关GC-800-40-to-100-B的更多详细信息，请参见下文。
- LD-2330-0005-DFB-1半导体激光器TOPTICA Photonics
波长: 2328.5 to 2335.5 nm输出功率: 0.002 W
Toptica Photonics的LD-2330-0005-DFB-1是一款激光二极管，波长为2328.5至2335.5 nm，输出功率为0.002 W，输出功率（CW）为0.002 W.有关LD-2330-0005-DFB-1的更多详细信息，请参见下文。
相关文章
紧凑型光子芯片的精确热控制：玻璃基板集成微热电冷却器（SimTEC）
光子学提供了各种优势，包括通过利用光特性在光学数据通信、生物医学应用、汽车技术和人工智能领域实现高速低损耗通信。这些优势是通过复杂的光子电路实现的，包括集成在光子芯片上的各种光子元件。
Photodigm DBR 激光二极管为短波红外精密激光二极管设定了世界标准。
激光二极管技术（Laser Diode Technology）
最近，激光二极管的商业和工业应用急剧增加。激光二极管的光学特性、小尺寸和坚固性使得许多新用途得以商业化。