NS-LD05H 976纳米窄谱500毫瓦激光模块

输出功率: 40000mW

高功率二极管激光棒：915 nm，40 W CW JDL-BAB-30-19-915-TE-40-1.0

输出功率: 200mW

LD405‐200‐1连续波半导体激光器。

Excelitas Technologies的PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成，这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如，QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm，具有四个外延生长的激射层，输出峰值功率接近100 W。T1¾（类TO）塑料封装补充了Excelitas采用密封金属封装的Epi-Cavity激光器，非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas的新型多活性区域激光器芯片，在较小的发射区域内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度，并提供单（PGEW）、双（DPGEW）、三（TPGEW）或四（QPGEW）外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角，在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下，外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中，从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。

输出功率: Up to 600 W

Quantel Laser的APF系列是光纤耦合QCW激光二极管堆栈，工作波长为808、915、940和980 nm.它们提供高达600W的光输出功率，并且具有超过45%的效率。这些激光二极管具有5nm的光谱宽度和高达250μs的脉冲宽度。它们需要10-12 V的直流电源，电流消耗小于100 A.这些激光二极管具有现场可更换的光纤电缆，并提供高耦合效率。它们采用尺寸为38.5 X 80 X 56 mm的模块，是光泵浦、医疗、工业、国防和空间应用的理想选择。

波长: 645 to 660 nm输出功率: 0.2 W

来自Roithner Lasertechnik的RLT650-200G是波长为645至660nm、输出功率为0.2W、工作电压为2.1至2.3V、工作电流为0.82至0.9A、阈值电流为550至600mA的激光二极管。有关RLT650-200G的更多详细信息，请参阅下文。