收藏 
下载规格书 初创公司Baraja为汽车应用提供制造 "随机调制连续波 "传感器所需的芯片
全部产品分类
近红外垂直腔体表面发射激光器1W参数
- 波长 / Wavelength: : 850nm
近红外垂直腔体表面发射激光器1W图片集
近红外垂直腔体表面发射激光器1W规格书
近红外垂直腔体表面发射激光器1W厂家介绍
Vixar是欧司朗（AMS Osram）的子公司，凭借多样化的VCSEL产品组合成为市场做的较好的。Vixar制造用于传感器和设备应用的VCSEL芯片、SMD封装和光学模块。Vixar为欧司朗带来了一支经验丰富的团队，他们在半导体激光器设计、可靠性和封装方面拥有专业知识。
我们开发标准产品和定制解决方案，以支持生物医学、工业、汽车和消费行业的新兴技术。这些客户将受益于降低的功耗、相干性、特定波长或光谱宽度、窄光束或小光斑尺寸或多光束激光芯片。
Vixar已经建立了一个制造基础设施和供应链，提供大批量生产。Vixar将较好的设计专业知识与较有能力的制造合作伙伴相结合。在标准流程中利用多个合作伙伴的国内和离岸能力，并根据快速增长的市场需求灵活地定制和扩展产品。
相关内容
相关产品
图片名称分类制造商参数描述
- EP1550-DM-B: 1550nm DM Laser Diode 1540-1560nm半导体激光器RPMC Lasers Inc.
输出功率: 8mW
Eblana Photonics EP1550-DM-B激光二极管在1540-1560nm范围内可用，是SONET/SDH和千兆以太网等电信应用的完美选择。Eblana的离散模式（DM）技术平台以更具竞争力的价格实现了类似于DFB的性能。
- FARL-500M-635-CM LASER DIODE 635nm 500mW半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 500mW
FARL-500M-635-CM激光二极管635nm 500mW。
- LASER DIODE FIDL-30S-905X半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 30mW
FIDL-30S-905X是用MOCVD半导体激光器制作的905nm InGaAs/GaAs单量子阱结构，低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-30S-905X光源为CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管，输出功率稳定。该激光器适用于各种光电系统。
- QDFBLD-105X-50半导体激光器QPhotonics
波长: 1049 to 1064 nm输出功率: 50 mW
来自Qphotonics的QDFBLD-105X-50是一种光纤耦合DFB激光二极管，可在1049至1064 nm范围内工作时提供50 MW的输出功率。它有一个内置热电冷却器，热敏电阻和可选的光电二极管。激光二极管的上升时间为5 ns，工作温度范围为15 C至40 C.它采用14引脚蝶形封装，提供可选的FC/PC或FC/APC连接器。
- FB-M1550-1500HF半导体激光器Fibercom Ltd.
波长: 1550 nm输出功率: 1500 mW
Fibercom Ltd.的FB-M1550-1500HF是波长为1550 nm、输出功率为1500 MW、工作电压为1.1 V、工作电流为7800 mA的激光二极管。有关FB-M1550-1500HF的更多详细信息，请参阅下文。
相关文章
用于物体分类任务的轨道-角动量编码衍射网络
激光吸收光谱法是测定样品中气体组分浓度的一种重要方法。现代设备是高度专业化的，用于检测非常特殊的气体，如大气中的微量气体，燃烧废气和等离子体的技术应用。
激光二极管技术（Laser Diode Technology）
最近，激光二极管的商业和工业应用急剧增加。激光二极管的光学特性、小尺寸和坚固性使得许多新用途得以商业化。