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下载规格书 光电晶体管是一种双极结晶体管（BJT），它将光电二极管和晶体管的概念结合在一起。
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APL3015P3C概述
KingbrightUSA的APL3015P3C是一款LED，工作温度为-40至85摄氏度，存储温度为-40至85摄氏度。有关APL3015P3C的更多详细信息，
APL3015P3C规格书
APL3015P3C厂家介绍
Kingbright是一家台湾LED解决方案提供商，拥有40多年的专业知识、创新和协作经验。我们始终追求卓越，在可见和不可见光谱中制造较全面、较可靠和较高质量的LED，以满足全球客户在所有行业的各种工程需求。我们致力于技术创新和质量卓越，通过我们在美国、欧洲和亚洲各地的销售办事处和仓库的卓越支持，确保产品的持续改进和客户满意度。
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图片名称分类制造商参数描述
- SML-810TB光电晶体管ROHM Semiconductor
材料: Silicon
Rohm Semiconductor的SML-810TB是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为32 V，集电极暗电流为0.5 uA，集电极发射极电压（饱和）为0.4 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V.SML-810TB的更多详情见下文。
- OP793D光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 890 nm
来自TT Electronics的OP793D是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.9至7.5 mA.有关OP793D的更多详细信息，请参见下文。
- OP798A光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 890 nm
来自TT Electronics的OP798A是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.40 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为4.9 mA至15 mA.有关OP798A的更多详情，请参见下文。
- L14F2光电晶体管Light In Motion
材料: Silicon
来自Light In Motion的L14F2是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为25 V，导通状态集电极电流为2.5 mA，功耗为300至600 MW.有关L14F2的更多详细信息，请参阅下文。
- SFH 3211 FA光电晶体管OSRAM
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 750 to 1120 nm
来自OSRAM的SFH 3211 FA是一种光电晶体管，其集电极发射极电压（击穿）为35 V，集电极暗电流为1至50 nA，集电极发射极电压（饱和）为150 MV，功耗为165 MW，波长（光谱灵敏度）为750至1120 nm.有关SFH 3211 FA的更多详细信息，请参阅下文。
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