收藏 
下载规格书 光电晶体管是一种双极结晶体管（BJT），它将光电二极管和晶体管的概念结合在一起。
全部产品分类
概述
Rohm Semiconductor的SML-810TB是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为32 V，集电极暗电流为0.5 uA，集电极发射极电压（饱和）为0.4 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V.SML-810TB的更多详情见下文。
参数
- 材料 / Material : Silicon
- 安装类型 / Mounting Type : Surface Mount Type
- 光电晶体管型 / Phototransistor Type : Phototransistors
- 集电极发射极电压（击穿） / Collector Emitter Voltage (Breakdown) : 32 V
- 集电极暗电流 / Collector-Dark Current : 0.5 uA
- 发射极集电极电压（击穿） / Emitter Collector Voltage(Breakdown) : 5 V
规格书
厂家介绍
Rohm于1958年在京都成立，较初是一家小型电子元件制造商。1967年，生产扩大到包括晶体管和二极管，1969年，集成电路和其他半导体产品加入到产品线中。两年后（1971年），该公司打破传统的日本商业文化，在硅谷建立了销售办事处和IC设计中心，从而进入美国市场。通过其年轻员工的辛勤工作和热情奉献，业务蓬勃发展，引起了业界的关注。罗姆的海外扩张很快成为其他公司的模板，并较终被接受为普遍的商业惯例。
相关产品
图片名称分类制造商参数描述
- TEMT1000光电晶体管Vishay Intertechnology
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 730 to 1000 nm
Vishay Intertechnology的TEMT1000是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）70 V，集电极暗电流1至200 nA，集电极发射极电压（饱和）0.3 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗100 MW.下面可以看到TEMT1000的更多详细信息。
- OP538FA光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 890 to 935 nm
来自TT Electronics的OP538FA是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为225 nA，集电极发射极电压（饱和）为1.1 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为6.8 mA.有关OP538FA的更多详细信息，请参见下文。
- OP560A光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 935 nm
来自TT Electronics的OP560A是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为15 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为1.10 V，发射极集电极电压（击穿）为2 V，导通状态集电极电流为6.6 mA.有关OP560A的更多详情，请参见下文。
- OP755A光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 935 nm
来自TT Electronics的OP755A是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流2.25至7 mA.有关OP755A的更多详情，请参见下文。
- L14P1光电晶体管Light In Motion
材料: Silicon
来自Light in Motion的L14P1是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极发射极电压（饱和）0.4 V，导通状态集电极电流6.5 mA，功耗300至600 MW.有关L14P1的更多详细信息，请参见下文。
相关文章
什么是光达林顿晶体管（Photodarlington Transistor）？
光达林顿晶体管是一种特殊类型的光电晶体管，它将一个光电晶体管与另一个双极结型晶体管 (BJT) 组成达林顿对配置。
光电晶体管的热阻是指其将热量从有源区传导到周围环境的能力。这是一个量化光电晶体管散热能力的参数。
晶体技术引领下一代OLED：中国科学家开发高性能晶体白色OLED
中国科学家近期在《光科学与应用》杂志上发布的研究成果显示，他们成功开发出了一种高性能的晶体白色有机发光二极管（OLED）。通过采用热激活延迟荧光（TADF）材料和橙色磷光掺杂剂的创新技术，并结合晶体主体基质中嵌入的纳米聚集体结构，这项技术实现了对发光行为的有效控制，提高了器件性能，包括更高的亮度和光子输出效率。