CMOS图像传感器
CMOS图像传感器(CMOS Image Sensors)是一种典型的固体成像传感器,与CCD有着共同的历史渊源。
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- 分类:CMOS图像传感器传感器类型: CMOS, InGaAs决议: 0.08MP# 像素 (H): 320# 像素: 256像素大小: 25um
我们的NativeWide Dynamic Range™传感器基于新一代专利CMOS成像技术,即使在非常宽的内部动态范围(>140dB)下,也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDRI可用于硅基器件(可见CMOS传感器),现在可用于InGaAs2D探测器(短波红外传感器)。NativeWDR™成像传感器即使在高工作温度(高于90ºC)下也能提供清晰锐利的图像,而不会产生像素伪像。
- 分类:CMOS图像传感器传感器类型: CMOS, InGaAs决议: 0.44MP# 像素 (H): 768# 像素: 576像素大小: 10um
我们的原生Wide Dynamic Range™传感器基于新一代专利CMOS成像技术,即使在非常宽的场景内动态范围(>140dB)下,也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDR可用于硅基器件(可见CMOS传感器),现在可用于InGaAs 2D探测器(短波红外传感器)。原生WDR™成像传感器即使在高工作温度(高于90ºC)下也能提供锐利清晰的图像,而不会产生像素伪像。
- 分类:CMOS图像传感器传感器类型: CMOS, InGaAs决议: 0.44MP# 像素 (H): 768# 像素: 576像素大小: 5.6um
我们的原生Wide Dynamic Range™传感器基于新一代专利CMOS成像技术,即使在非常宽的场景内动态范围(>140dB)下,也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDR可用于硅基器件(可见CMOS传感器),现在可用于InGaAs 2D探测器(短波红外传感器)。原生WDR™成像传感器即使在高工作温度(高于90ºC)下也能提供锐利清晰的图像,而不会产生像素伪像。
- 分类:CMOS图像传感器传感器类型: CMOS, InGaAs决议: 1.3MP# 像素 (H): 1280# 像素: 1024像素大小: 6.8um
我们的原生Wide Dynamic Range™传感器基于新一代专利CMOS成像技术,即使在非常宽的场景内动态范围(>140dB)下,也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDR可用于硅基器件(可见CMOS传感器),现在可用于InGaAs 2D探测器(短波红外传感器)。原生WDR™成像传感器即使在高工作温度(高于90ºC)下也能提供锐利清晰的图像,而不会产生像素伪像。
- 分类:CMOS图像传感器传感器类型: CMOS, InGaAs决议: 0.9MP# 像素 (H): 1280# 像素: 720像素大小: 5.6um
我们的原生Wide Dynamic Range™传感器基于新一代专利CMOS成像技术,即使在非常宽的场景内动态范围(>140dB)下,也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDR可用于硅基器件(可见CMOS传感器),现在可用于InGaAs 2D探测器(短波红外传感器)。原生WDR™成像传感器即使在高工作温度(高于90ºC)下也能提供锐利清晰的图像,而不会产生像素伪像。
- 分类:CMOS图像传感器传感器类型: CMOS, InGaAs决议: 0.3MP# 像素 (H): 640# 像素: 480像素大小: 15um
我们的原生Wide Dynamic Range™传感器基于新一代专利CMOS成像技术,即使在非常宽的场景内动态范围(>140dB)下,也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDR可用于硅基器件(可见CMOS传感器),现在可用于InGaAs 2D探测器(短波红外传感器)。原生WDR™成像传感器即使在高工作温度(高于90ºC)下也能提供锐利清晰的图像,而不会产生像素伪像。
- 分类:CMOS图像传感器传感器类型: CMOS, InGaAs决议: 0.44MP# 像素 (H): 768# 像素: 576像素大小: 15um
我们的原生Wide Dynamic Range™传感器基于新一代专利CMOS成像技术,即使在非常宽的场景内动态范围(>140dB)下,也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDR可用于硅基器件(可见CMOS传感器),现在可用于InGaAs 2D探测器(短波红外传感器)。原生WDR™成像传感器即使在高工作温度(高于90ºC)下也能提供锐利清晰的图像,而不会产生像素伪像。
- 分类:CMOS图像传感器传感器类型: CMOS, InGaAs决议: 1.3MP# 像素 (H): 1280# 像素: 1024像素大小: 10.6um
我们的原生Wide Dynamic Range™传感器基于新一代专利CMOS成像技术,即使在非常宽的场景内动态范围(>140dB)下,也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDR可用于硅基器件(可见CMOS传感器),现在可用于InGaAs 2D探测器(短波红外传感器)。原生WDR™成像传感器即使在高工作温度(高于90ºC)下也能提供锐利清晰的图像,而不会产生像素伪像。
- 分类:CMOS图像传感器传感器类型: CMOS, InGaAs决议: 0.3MP# 像素 (H): 640# 像素: 480像素大小: 15um
我们的原生Wide Dynamic Range™传感器基于新一代专利CMOS成像技术,即使在非常宽的场景内动态范围(>140dB)下,也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDR可用于硅基器件(可见CMOS传感器),现在可用于InGaAs 2D探测器(短波红外传感器)。原生WDR™成像传感器即使在高工作温度(高于90ºC)下也能提供锐利清晰的图像,而不会产生像素伪像。
- 分类:CMOS图像传感器传感器类型: CMOS, InGaAs决议: 0.3MP# 像素 (H): 640# 像素: 480像素大小: 6.8um
我们的原生Wide Dynamic Range™传感器基于新一代专利CMOS成像技术,即使在非常宽的场景内动态范围(>140dB)下,也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDR可用于硅基器件(可见CMOS传感器),现在可用于InGaAs 2D探测器(短波红外传感器)。原生WDR™成像传感器即使在高工作温度(高于90ºC)下也能提供清晰锐利的图像,而不会产生像素伪像。
- 分类:CMOS图像传感器
基于我们的UV增强涂层技术,UV灵敏度可降至150nm:我们一直提供的类型:CCD:Sony CCDILX511UV Coated(无玻璃)SonyCCDILX511BUV Coated(无玻璃)SonyCCDIL X554BUV Coating(无玻璃)Sony CCDIL X526AUV Coated(无玻璃)ToshibACCD1304DGUV CoatedCMOS:适用于佳能,尼康相机,也可使用其他品牌。www.uv-coating-ccd.com
- 分类:CMOS图像传感器
Symbion DX和RX为所有过程分析技术(PAT)要求提供完整的应用程序开发、联网和在线监控环境。这些程序包括Symbion LX和LRX的所有功能,但增加了全面的编程功能,包括执行用MATLAB™、Octave或TCL编写的程序的功能。Symbion DX专为满足化学工业的不同需求而设计。Rx添加了在高度管控的行业中运营所需的审核跟踪和其他法规遵从性功能。当包含在Symbion结构中时,即使是MATLAB或Octave脚本也可以兼容。Symbion DX和RX的广泛开发能力可用于创建定制的方法和操作屏幕,以满足几乎任何要求。例如,操作员屏幕的范围可以从简单的启动按钮和红色/绿色质量显示到一组全面的统计控制图。创建后,可以将方法保存到数据库中,并通过安全登录重新调用,以便后续部署。
- 分类:CMOS图像传感器
Symbion LX提供控制一个或多个光谱仪或其他分析仪器的能力,同时还可用作全功能光谱数据站。除了为指定仪器提供完整的控制功能外,它还可以从大多数光谱仪获取当前数据,并接受来自数据库的存储数据或格式为XY、.SPC、.ASF和.##(Bruker)的文件。一旦获得数据,程序的广泛可视化和数学能力就可以用来提取任何所需格式的较大可用信息。Symbion LRX包括LX的功能,但增加了实现法规遵从性所需的所有安全措施。
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