成像

光电查提供的光学成像仪器包括:内窥镜、CCD图像传感器、CMOS图像传感器、光电二极管、光电晶体管、科学和工业相机。

光电查为您提供8674个产品。 下载资料,获取报价,实现功能、价格及供应的优化选择。

  • 光电查
    韩国
    分类:光电二极管
    厂商:AVIS Co., Ltd.

    AVL-4330 Series光电二极管可以测试红外摄像机和镜头,还可以选择红外发光二极管的波长。采用数字恒流控制方法,因此不会闪烁。由于标准光源的高度均匀性,无需图表即可测试阴影。

  • 光电查

    以很高的频率记录一个动态的图像,分析和捕获速度太快而无法使人眼看到的事件,后以超慢动作播放事件以进行逐帧详细图像分析和生成报告。1.可扩展内置硬盘存储功能,满带宽写入,内存40G,80G,160G可选 2.双电源供电 3.万兆网接口,兼容千兆分辨率帧率可调 4.用户可自定义分辨率和帧率 ;分辨率:2560×2016拍摄频率:1000 帧/秒;分辨率:2048×256拍摄频率:4500 帧/秒;分辨率:2048×32拍摄频率:14000 帧/秒 5.ISO(REI)黑白:ISO 10000 彩色:ISO 3000;电子快门:1us -1s;动态景深:8bit/10bit/12bit;镜头接口:E接口,可转接F接口或EF接口 6.通信接口:10G/5G/2.5G/1GBASE-T 7.输入信号:SYNC_I/ EST / IRIG-B 8.输出信号:Status(ARM/FAULT) EPO/ SYNC_O;视频输出:SDI,以太网 9.触发模式:MANUAL / IO /IMAGE 10:电源:12-24VDC 11:尺寸:Approx. 110W×110H×217Dmm;重量:3.80kg

  • 光电查
    相机类型: Industrial, Scientific, Security阵列类型: InGaAs光谱带: 240 - 280 um# 像素(高度): 576# 像素(宽度): 736

    ZH480紫外相机是一款功能强大的双通道紫外成像设备,具有广角和长焦镜头。可对电晕、电弧进行精确定位,全天24小时显示并记录放电光子数。可实现变电站、输配电线路、发电机、铁路线路等电气设备的前瞻性、预修性检测。也可用于矿山、石油、重工、防火、保险、检测服务等行业。采用高性能紫外探测器和滤光片,灵敏度高,可探测微弱的紫外信号。采用高精度图像配准和融合算法,获取准确、美观的图像和视频。

  • 光电查
    传感器类型: CMOS检测方法: Indirect Detection# 像素(宽度): 2560# 像素(高度): 2160像素大小: 6.5um

    Andor的ZYLA-HF杰出设计提供了与较先进的单光纤板粘合相关的较高传输和空间分辨率性能,同时还利用了ZYLA-HF非常快的帧速率、超低噪声性能和卓越的视野。其紧凑的格式、多个安装点和用于闪烁体或铍过滤器集成的模块化输入配置可轻松集成到实验室设置或集成器(OEM)系统中。这种独特的功能组合使ZYLA-HF成为完美的探测器平台,适用于X射线成像和断层扫描、电子显微镜和皮秒/纳秒X射线成像(当与条纹管或开放式MCP耦合时)。

  • 光电查
    传感器类型: sCMOS# 像素(宽度): 2560# 像素(高度): 2160像素大小: 6.5um峰值量子效率: 60%

    Andor的Zyla 5.5 sCMOS相机具有高速、高灵敏度成像性能,采用非常轻便紧凑的TE冷却设计。Zyla非常适合许多推动速度极限的高端应用,提供高达100 FPS的持续帧率性能,ROI更快。极具成本效益的USB 3.0版本可提供40 FPS和1.2 E-RMS读取噪声,代表了研究或OEM环境中显微镜和物理科学应用的理想低光“主力”升级相机解决方案。

  • 光电查

    FLIR A310能生成76,800像素、嵌入温度读数的高质量红外图像,因此您可以测量场景中的任意点。FLIR A310具有多达8倍数字变焦,您可以精确定位和监测确切的目标对象或过程。

  • 光电查
    加拿大
    厂商:Photon etc.
    相机类型: Industrial, Scientific阵列类型: InGaAs光谱带: 0.5 - 1.7 um# 像素(高度): 15 µm# 像素(宽度): 640x512

    继续推动扩展科学和工业成像、光子等的边界。展示其高性能且经济实惠的深冷SWIR相机系列。基于灵敏的InGaAs FPA,并集成了四级TE冷却器,Zephir 1.7提供了惊人的每秒220帧的速率,同时达到非常低的噪声水平。这些相机较初设计用于要求低通量的应用,如第二个生物窗口中的小动物成像,这些相机还为质量控制和分类的工业应用带来了新的能力。

  • 光电查
    加拿大
    厂商:Photon etc.
    相机类型: Industrial, Scientific阵列类型: Mercury Cadmium Telluride (MCT, HgCdTe)光谱带: 0.85 - 2.5 um# 像素(高度): 320# 像素(宽度): 256

    ZEPHIR™基于灵敏的HgCdTe FPA,并集成了四级TE冷却器,可提供惊人的每秒340帧速率,同时达到无与伦比的低噪声水平。这款经济实惠的短波红外相机的灵敏度范围为850nm至2.5µm,非常适合质量控制和分拣方面的工业应用。

  • 光电查
    加拿大
    厂商:Photon etc.
    相机类型: Industrial, Scientific阵列类型: Mercury Cadmium Telluride (MCT, HgCdTe)光谱带: 0.85 - 2.9 um# 像素(高度): 320# 像素(宽度): 256

    继续推动扩展科学和工业成像、光子等的边界。展示其高性能且经济实惠的深冷SWIR相机系列。基于灵敏的HgCdTe(MCT)FPA,并集成了四级TE冷却器,Zephir 2.9提供了惊人的每秒340帧的速率,同时达到非常低的噪声水平。这些相机较初设计用于要求低通量的应用,如第二生物窗口中的小动物成像,这些相机还为质量控制和分类的工业应用带来了新的能力。

  • 光电查
    传感器类型: CMOS, InGaAs决议: 0.08MP# 像素 (H): 320# 像素: 256像素大小: 25um

    我们的NativeWide Dynamic Range™传感器基于新一代专利CMOS成像技术,即使在非常宽的内部动态范围(>140dB)下,也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDRI可用于硅基器件(可见CMOS传感器),现在可用于InGaAs2D探测器(短波红外传感器)。NativeWDR™成像传感器即使在高工作温度(高于90ºC)下也能提供清晰锐利的图像,而不会产生像素伪像。

  • 光电查
    传感器类型: CMOS, InGaAs决议: 0.44MP# 像素 (H): 768# 像素: 576像素大小: 10um

    我们的原生Wide Dynamic Range™传感器基于新一代专利CMOS成像技术,即使在非常宽的场景内动态范围(>140dB)下,也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDR可用于硅基器件(可见CMOS传感器),现在可用于InGaAs 2D探测器(短波红外传感器)。原生WDR™成像传感器即使在高工作温度(高于90ºC)下也能提供锐利清晰的图像,而不会产生像素伪像。

  • 光电查
    传感器类型: CMOS, InGaAs决议: 0.44MP# 像素 (H): 768# 像素: 576像素大小: 5.6um

    我们的原生Wide Dynamic Range™传感器基于新一代专利CMOS成像技术,即使在非常宽的场景内动态范围(>140dB)下,也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDR可用于硅基器件(可见CMOS传感器),现在可用于InGaAs 2D探测器(短波红外传感器)。原生WDR™成像传感器即使在高工作温度(高于90ºC)下也能提供锐利清晰的图像,而不会产生像素伪像。

  • 光电查
    传感器类型: CMOS, InGaAs决议: 1.3MP# 像素 (H): 1280# 像素: 1024像素大小: 6.8um

    我们的原生Wide Dynamic Range™传感器基于新一代专利CMOS成像技术,即使在非常宽的场景内动态范围(>140dB)下,也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDR可用于硅基器件(可见CMOS传感器),现在可用于InGaAs 2D探测器(短波红外传感器)。原生WDR™成像传感器即使在高工作温度(高于90ºC)下也能提供锐利清晰的图像,而不会产生像素伪像。

  • 光电查
    传感器类型: CMOS, InGaAs决议: 0.9MP# 像素 (H): 1280# 像素: 720像素大小: 5.6um

    我们的原生Wide Dynamic Range™传感器基于新一代专利CMOS成像技术,即使在非常宽的场景内动态范围(>140dB)下,也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDR可用于硅基器件(可见CMOS传感器),现在可用于InGaAs 2D探测器(短波红外传感器)。原生WDR™成像传感器即使在高工作温度(高于90ºC)下也能提供锐利清晰的图像,而不会产生像素伪像。

  • 光电查
    传感器类型: CMOS, InGaAs决议: 0.3MP# 像素 (H): 640# 像素: 480像素大小: 15um

    我们的原生Wide Dynamic Range™传感器基于新一代专利CMOS成像技术,即使在非常宽的场景内动态范围(>140dB)下,也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDR可用于硅基器件(可见CMOS传感器),现在可用于InGaAs 2D探测器(短波红外传感器)。原生WDR™成像传感器即使在高工作温度(高于90ºC)下也能提供锐利清晰的图像,而不会产生像素伪像。

  • 光电查
    传感器类型: CMOS, InGaAs决议: 0.44MP# 像素 (H): 768# 像素: 576像素大小: 15um

    我们的原生Wide Dynamic Range™传感器基于新一代专利CMOS成像技术,即使在非常宽的场景内动态范围(>140dB)下,也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDR可用于硅基器件(可见CMOS传感器),现在可用于InGaAs 2D探测器(短波红外传感器)。原生WDR™成像传感器即使在高工作温度(高于90ºC)下也能提供锐利清晰的图像,而不会产生像素伪像。

  • 光电查
    传感器类型: CMOS, InGaAs决议: 1.3MP# 像素 (H): 1280# 像素: 1024像素大小: 10.6um

    我们的原生Wide Dynamic Range™传感器基于新一代专利CMOS成像技术,即使在非常宽的场景内动态范围(>140dB)下,也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDR可用于硅基器件(可见CMOS传感器),现在可用于InGaAs 2D探测器(短波红外传感器)。原生WDR™成像传感器即使在高工作温度(高于90ºC)下也能提供锐利清晰的图像,而不会产生像素伪像。

  • 光电查
    传感器类型: CMOS, InGaAs决议: 0.3MP# 像素 (H): 640# 像素: 480像素大小: 15um

    我们的原生Wide Dynamic Range™传感器基于新一代专利CMOS成像技术,即使在非常宽的场景内动态范围(>140dB)下,也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDR可用于硅基器件(可见CMOS传感器),现在可用于InGaAs 2D探测器(短波红外传感器)。原生WDR™成像传感器即使在高工作温度(高于90ºC)下也能提供锐利清晰的图像,而不会产生像素伪像。

  • 光电查
    传感器类型: CMOS, InGaAs决议: 0.3MP# 像素 (H): 640# 像素: 480像素大小: 6.8um

    我们的原生Wide Dynamic Range™传感器基于新一代专利CMOS成像技术,即使在非常宽的场景内动态范围(>140dB)下,也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDR可用于硅基器件(可见CMOS传感器),现在可用于InGaAs 2D探测器(短波红外传感器)。原生WDR™成像传感器即使在高工作温度(高于90ºC)下也能提供清晰锐利的图像,而不会产生像素伪像。

  • 光电查
    相机类型: Industrial, Security阵列类型: InGaAs光谱带: 0.9 - 1.7 um# 像素(高度): 15# 像素(宽度): 640

    Widy Nano相机外形小巧,即插即用,交付时使用专有的WidyVision软件进行校准。Widy Nano专为尺寸至关重要的短波红外应用而设计。嵌入无人机或安装在头盔上的25 X 25 X 29 mm3的Widy Nano可在强光条件下提供清晰饱和的HDR图像。它的Tecless功能简化了便携式平台的集成。

  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5
  • 6
  • 434