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下载规格书 光电晶体管是一种双极结晶体管（BJT），它将光电二极管和晶体管的概念结合在一起。
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L14F2概述
来自Light In Motion的L14F2是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为25 V，导通状态集电极电流为2.5 mA，功耗为300至600 MW.有关L14F2的更多详细信息，
L14F2参数
- 输入功率（辐照度） / Input Power(Irradiance) : 0.05 mW/cm2
- 材料 / Material : Silicon
- 安装类型 / Mounting Type : Through-Hole, Leaded
- 光电晶体管型 / Phototransistor Type : Photodarlington
- RoHS / RoHs : Yes
- 集电极发射极电压（击穿） / Collector Emitter Voltage (Breakdown) : 25 V
- 导通状态集电极电流 / On-State Collector Current : 2.5 mA
L14F2图片集
L14F2规格书
L14F2厂家介绍
Light In Motion Organization致力于设计、制造和供应专用于传感器行业的高质量、高可靠性的光学发射器和探测器组件和组件。请参阅我们的能力声明。Light In Motion的所有者将与飞利浦半导体（Philips Semiconductor）、GI Optoelectronics、QT Optoelectronics和飞兆半导体（Fairchild Semiconductor）合作50年的经验带到了这项业务中。我们拥有丰富的半导体、光学工程、制造技术、供应链和特定应用经验，所有客户都可以找到满足其传感器要求的标准、半定制或定制解决方案。
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图片名称分类制造商参数描述
- OP550A光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 935 nm
来自TT Electronics的OP550A是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流2.55 mA.有关OP550A的更多详细信息，请参见下文。
- L14G3光电晶体管Light In Motion
材料: Silicon
来自Light in Motion的L14G3是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为45 V，集电极发射极电压（饱和）为0.40 V，导通状态集电极电流为2 mA，功耗为300至600 MW.有关L14G3的更多详细信息，请参阅下文。
- L14N2光电晶体管Light In Motion
材料: Silicon
来自Light in Motion的L14N2是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极发射极电压（饱和）0.4 V，导通状态集电极电流2 mA，功耗300至600 MW.有关L14N2的更多详细信息，请参见下文。
- L14P1光电晶体管Light In Motion
材料: Silicon
来自Light in Motion的L14P1是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极发射极电压（饱和）0.4 V，导通状态集电极电流6.5 mA，功耗300至600 MW.有关L14P1的更多详细信息，请参见下文。
- SFH 310光电晶体管OSRAM
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 450 to 1100 nm
来自OSRAM的SFH 310是光电晶体管，其集电极发射极电压（击穿）为35 V，集电极暗电流为1至50 nA，集电极发射极电压（饱和）为150 MV，功率耗散为165 MW，波长（光谱灵敏度）为450至1100 nm.SFH 310的更多细节可以在下面看到。
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