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下载规格书 光电晶体管是一种双极结晶体管（BJT），它将光电二极管和晶体管的概念结合在一起。
全部产品分类
SFH 3211 FA概述
SFH 3211 FA参数
- 材料 / Material : Silicon
- 安装类型 / Mounting Type : Surface Mount
- 光电晶体管型 / Phototransistor Type : Phototransistor
- 极性 / Polarity : NPN
- 集电极发射极电压（击穿） / Collector Emitter Voltage (Breakdown) : 35 V
- 集电极暗电流 / Collector-Dark Current : 1 to 50 nA
- 波长（光谱灵敏度） / Wavelength(Spectral Sensitivity) : 750 to 1120 nm
SFH 3211 FA规格书
SFH 3211 FA厂家介绍
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图片名称分类制造商参数描述
- MTD8600N-T光电晶体管Marktech Optoelectronics
材料: Metal波长（光谱灵敏度）: 400 to 1100 nm
Marktech Optoelectronics的MTD8600N-T是一款峰值灵敏度波长为880 nm的光电晶体管。它的光谱范围为400-1100nm，开关时间（上升/下降）为10μs.该晶体管的集电极-发射极电流为3 mA，C-E饱和电压为0.2 V，集电极暗电流高达100 nA.该器件采用TO-18金属罐封装，尺寸为Ø5.4 mm，是光学开关、光学传感器、边缘检测和烟雾探测器应用的理想选择。
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材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 935 nm
来自TT Electronics的OP755A是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流2.25至7 mA.有关OP755A的更多详情，请参见下文。
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材料: Silicon
来自Light In Motion的BPW37是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为45 V，集电极发射极电压（饱和）为0.40 V，导通状态集电极电流为0.5 mA，功耗为300至600 MW.有关BPW37的更多详细信息，请参阅下文。
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材料: Silicon
来自Light In Motion的L14F2是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为25 V，导通状态集电极电流为2.5 mA，功耗为300至600 MW.有关L14F2的更多详细信息，请参阅下文。
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来自KingbrightUSA的AM2520P3C03是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.8至1.5 mA，功耗100 MW.有关AM2520P3C03的更多详细信息，请参阅下文。
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