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下载规格书 光电晶体管是一种双极结晶体管（BJT），它将光电二极管和晶体管的概念结合在一起。
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XZRNI56W-1概述
SunLED的XZrNi56W-1是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.8 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗100 MW.有关XZrNi56W-1的更多详细信息，
XZRNI56W-1参数
- 安装类型 / Mounting Type : Surface Mount
- 光电晶体管型 / Phototransistor Type : Photo Transistor
- RoHS / RoHs : Yes
- 集电极发射极电压（击穿） / Collector Emitter Voltage (Breakdown) : 30 V
- 集电极暗电流 / Collector-Dark Current : 100 nA
- 发射极集电极电压（击穿） / Emitter Collector Voltage(Breakdown) : 5 V
XZRNI56W-1规格书
XZRNI56W-1厂家介绍
SunLED是全球领先的光电元件制造商之一。自1989年成立以来，SunLED不断发展壮大，推出了一系列符合RoHS和REACH标准的LED灯、表面贴装LED和LED显示屏。
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图片名称分类制造商参数描述
- OP506D光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 935 nm
来自TT Electronics的OP506D是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.55 mA.有关OP506D的更多详细信息，请参见下文。
- OP555D光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 935 nm
来自TT Electronics的OP555D是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.25 mA.有关OP555D的更多详细信息，请参见下文。
- OP599A光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 890 nm
来自TT Electronics的OP599A是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流2.35 mA.有关OP599A的更多详细信息，请参见下文。
- XRNI12W光电晶体管SunLED
SunLED的XRNI12W是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.8 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.5至2.5 mA.有关XRNI12W的更多详细信息，请参阅下文。
- SFH 3219光电晶体管OSRAM
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 450 to 1150 nm
OSRAM的SFH 3219是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为35 V，集电极暗电流为1至50 nA，集电极发射极电压（饱和）为150 MV，功耗为165 MW，波长（光谱灵敏度）为450至1150 nm.有关SFH 3219的更多详细信息，请参阅下文。
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