收藏 
下载规格书 光电晶体管是一种双极结晶体管（BJT），它将光电二极管和晶体管的概念结合在一起。
全部产品分类
OP506D概述
来自TT Electronics的OP506D是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.55 mA.有关OP506D的更多详细信息，
OP506D参数
- 输入功率（辐照度） / Input Power(Irradiance) : 1 mW/cm2
- 材料 / Material : Silicon
- 安装类型 / Mounting Type : Through-Hole
- 光电晶体管型 / Phototransistor Type : Photo Transistor
- 极性 / Polarity : NPN
- RoHS / RoHs : Yes
- 技术 / Technology : GaAs, GaAIAs
- 集电极发射极电压（击穿） / Collector Emitter Voltage (Breakdown) : 30 V
- 集电极暗电流 / Collector-Dark Current : 100 nA
- 发射极集电极电压（击穿） / Emitter Collector Voltage(Breakdown) : 5 V
- 导通状态集电极电流 / On-State Collector Current : 0.55 mA
- 波长（光谱灵敏度） / Wavelength(Spectral Sensitivity) : 935 nm
OP506D规格书
OP506D厂家介绍
我们通过全球专家网络和世界较好的设施为客户提供工程支持和专业知识。
相关内容
相关产品
图片名称分类制造商参数描述
- OP535B光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 935 nm
来自TT Electronics的OP535B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为15 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为1.10 V，发射极集电极电压（击穿）为2 V，导通状态集电极电流为3.5至32.0 mA.有关OP535B的更多详情，请参见下文。
- OP560C光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 935 nm
TT Electronics的OP560C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）15 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）1.10 V，发射极集电极电压（击穿）2 V，导通状态集电极电流1.1 mA.有关OP560C的更多详情，请参见下文。
- OP793B光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 890 nm
来自TT Electronics的OP793B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流1.65至4.55 mA.有关OP793B的更多详情，请参见下文。
- L14G3光电晶体管Light In Motion
材料: Silicon
来自Light in Motion的L14G3是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为45 V，集电极发射极电压（饱和）为0.40 V，导通状态集电极电流为2 mA，功耗为300至600 MW.有关L14G3的更多详细信息，请参阅下文。
- SFH 310光电晶体管OSRAM
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 450 to 1100 nm
来自OSRAM的SFH 310是光电晶体管，其集电极发射极电压（击穿）为35 V，集电极暗电流为1至50 nA，集电极发射极电压（饱和）为150 MV，功率耗散为165 MW，波长（光谱灵敏度）为450至1100 nm.SFH 310的更多细节可以在下面看到。
相关文章
什么是光达林顿晶体管（Photodarlington Transistor）？
光达林顿晶体管是一种特殊类型的光电晶体管，它将一个光电晶体管与另一个双极结型晶体管 (BJT) 组成达林顿对配置。
光电晶体管的热阻是指其将热量从有源区传导到周围环境的能力。这是一个量化光电晶体管散热能力的参数。