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下载规格书 光电晶体管是一种双极结晶体管（BJT），它将光电二极管和晶体管的概念结合在一起。
全部产品分类
SFH 3219概述
SFH 3219参数
- 材料 / Material : Silicon
- 安装类型 / Mounting Type : Surface Mount
- 光电晶体管型 / Phototransistor Type : Phototransistor
- 极性 / Polarity : NPN
- 集电极发射极电压（击穿） / Collector Emitter Voltage (Breakdown) : 35 V
- 集电极暗电流 / Collector-Dark Current : 1 to 50 nA
- 波长（光谱灵敏度） / Wavelength(Spectral Sensitivity) : 450 to 1150 nm
SFH 3219规格书
SFH 3219厂家介绍
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图片名称分类制造商参数描述
- OP303SL光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 890 nm
来自TT Electronics的OP303SL是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为15 V，集电极暗电流为1µA，集电极发射极电压（饱和）为1.1 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为3.6至12.0 mA.有关OP303SL的更多详细信息，请参见下文。
- OP538FB光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 890 to 935 nm
来自TT Electronics的OP538FB是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为225 nA，集电极发射极电压（饱和）为1.1 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为2.3至20.5 mA.有关OP538FB的更多详细信息，请参见下文。
- NTE3037光电晶体管NTE Electronics, Inc
材料: Silicon
NTE Electronics，Inc的NTE3037是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）50 V，集电极暗电流10至200 nA，集电极发射极电压（饱和）0.25至0.4 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗150 MW.有关NTE3037的更多详细信息，请参阅下文。
- LA PT28AP1光电晶体管Light Avenue
波长（光谱灵敏度）: 570 nm
来自Light Avenue的LA PT28AP1是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为6 V，集电极暗电流为3至50 nA，发射极集电极电压（击穿）为1.5 V，波长（光谱灵敏度）为570 nm.有关LA PT28AP1的更多详细信息，请参见下文。
- BPX 38光电晶体管OSRAM
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 450 to 1120 nm
欧司朗的BPX 38是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）50 V，集电极暗电流20至100 nA，集电极发射极电压（饱和）200 MV，发射极集电极电压（击穿）7 V，功耗220 MW.有关BPX 38的更多详细信息，请参见下文。
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