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下载规格书 Photodigm DBR 激光二极管结构与同类 DFB 设计的对比
Photodigm 系列高功率边缘发射分布式布拉格反射器 (DBR) 激光二极管基于 Photodigm 专有的单一外延生长 DBR 激光结构。
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Seminex多模式激光芯片1540nm 5.6W概述
Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时，我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计，以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试，以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。
Seminex多模式激光芯片1540nm 5.6W参数
- 中心波长 / Center Wavelength: : 1.540um
- 输出功率 / Output Power: : 5600mW
Seminex多模式激光芯片1540nm 5.6W规格书
Seminex多模式激光芯片1540nm 5.6W厂家介绍
法兰克福激光公司（FLC）由Vsevolod Mazo博士于1994年创立，25年来一直是半导体激光器的较好公司之一。几乎没有一种激光产品在这里找不到。该公司提供从紫外、可见光范围到红外和远红外的激光源、激光二极管、超发光二极管、激光模块、激光系统、DPSS激光器或中红外LED，包括单模和多模、自由空间光束和光纤耦合。
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图片名称分类制造商参数描述
- FARL-20S-635-TO56 LASER DIODE 635nm 20mW半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 20mW
FARL-20S-635-TO56激光二极管635nm 20mW。
- NL742 Ultra-stable Nanosecond Laser半导体激光器EKSPLA
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- USHIO HL6501MG 658nm 35mW AlGaInP Laser Diode半导体激光器The Optoelectronics Company Ltd
输出功率: 35mW
Ushio HL6501MG 658nm 35mW AlGaInP半导体激光器
- Intense Series 1100半导体激光器Intense Limited
波长: 886 to 1000 nm输出功率: 0.5 to 4 W
Intense Limited的Intense系列1100是一种激光二极管，波长为886至1000 nm，输出功率为0.5至4 W，工作电压为2 V，工作电流为0.8至5.5 A，阈值电流为200至1500 mA.有关Intense系列1100的更多详细信息，请参见下文。
- LU0786M150半导体激光器Lumics
波长: 785 to 787 nm输出功率: 0.15 W
LUMICS的LU0786M150是一款激光二极管，波长为785至787 nm，输出功率为0.15 W，工作电压为2 V，工作电流为0.25 A，阈值电流为50 mA.有关LU0786M150的更多详细信息，请参阅下文。
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麻省理工学院（MIT）的一项新研究发现，即使消除了来自外界的所有噪声，时钟、激光束和其他振荡器的稳定性仍然容易受到量子力学效应的影响。
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