BluGlass 收购其美国氮化镓代工厂并与美国团队签订半导体激光器开发协议
BluGlass 收购其美国氮化镓代工厂并与美国团队签订半导体激光器开发协议
全部产品分类
USHIO HL6501MG 658nm 35mW AlGaInP激光二极管
立即咨询
获取报价
收藏 
下载规格书
获取报价 收藏 下载规格书 更新时间：2024-04-19 14:40:59
型号:
USHIO HL6501MG 658nm 35mW AlGaInP激光二极管概述
Ushio HL6501MG 658nm 35mW AlGaInP半导体激光器
USHIO HL6501MG 658nm 35mW AlGaInP激光二极管参数
- 中心波长 / Center Wavelength: : 658um
- 输出功率 / Output Power: : 35mW
USHIO HL6501MG 658nm 35mW AlGaInP激光二极管规格书
USHIO HL6501MG 658nm 35mW AlGaInP激光二极管厂家介绍
光电公司是一家总部位于英国的公司，成立于2009年，因在全球光电市场的先进技术设计和制造方面的深入知识和经验而闻名于整个光电行业。
相关内容
相关产品
图片名称分类制造商参数描述
- Laser Diode Module HQML3-408半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 100mW
激光二极管模块HQML3-408。
- ML562G85半导体激光器Mitsubishi Electric
波长: 639 nm输出功率: 0 to 2.1 W
三菱电机（Mitsubishi Electric）的ML562G85是一款红色激光二极管，工作波长为639 nm.它产生2.1 W的CW输出功率和250流明的亮度，效率为41%。这款横向多模激光二极管采用独创的高功率技术和优化的外延结构，可在高达45摄氏度的高温下工作。它采用TO-CAN封装，尺寸为Ø9.0 mm，非常适合需要高亮度的大型场地激光投影仪。
- LD63F5S-A/B/C半导体激光器First Sensor
波长: 637 to 645 nm输出功率: 0.01 W
第一个传感器的LD63F5S-A/B/C是波长为637至645 nm的激光二极管，输出功率为0.01 W，工作电压为2.2至2.5 V，工作电流为0.045至0.055 A，阈值电流为35至47 mA.有关LD63F5S-A/B/C的更多详细信息，请参阅下文。
- TG4xx series半导体激光器TopGaN Lasers
波长: 420 to 460 nm输出功率: 0.05 W
TopGan Lasers的TG4xx系列是一款激光二极管，波长为420至460 nm，输出功率为50 MW，输出功率为0.05 W，工作电压为5至5.5 V，工作电流为0.11至0.22 A.TG4xx系列的更多详情见下文。
- 激光炫目系统LDS半导体激光器江苏亮点光电集团（Lumispot）
激光炫目系统LDS主要由激光器、光学系统和主控板组成，具有单色性好、方向性强、体积小、重量轻、出光均匀性好、环境适应性强等特点。
相关文章
《Opto-Electronic Science》发表了一篇新文章，回顾了光学纳米粒子的基本原理和应用。光学纳米粒子是光子学的关键要素之一。它们不仅能对大量系统（从细胞到微电子学）进行光学成像，还能充当高灵敏度的远程传感器。
KAUST的科学家们展示了一种改变紧凑型半导体激光器的简单方法，使其在照明和全息摄影方面更加实用。这项研究发表在《Optica》杂志上。
Photodigm DBR 激光二极管为短波红外精密激光二极管设定了世界标准。