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下载规格书 光学参数振荡器optical parametric oscillator（OPO）是一种像激光一样的相干光源，但使用的是非线性晶体中的光学放大过程，而不是受激发射。由于
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FARL-20S-635-TO56 激光二极管 635nm 20mW概述
FARL-20S-635-TO56激光二极管635nm 20mW。
FARL-20S-635-TO56 激光二极管 635nm 20mW参数
- 中心波长 / Center Wavelength: : 0.635um
- 输出功率 / Output Power: : 20mW
FARL-20S-635-TO56 激光二极管 635nm 20mW图片集
FARL-20S-635-TO56 激光二极管 635nm 20mW规格书
FARL-20S-635-TO56 激光二极管 635nm 20mW厂家介绍
法兰克福激光公司（FLC）由Vsevolod Mazo博士于1994年创立，25年来一直是半导体激光器的较好公司之一。几乎没有一种激光产品在这里找不到。该公司提供从紫外、可见光范围到红外和远红外的激光源、激光二极管、超发光二极管、激光模块、激光系统、DPSS激光器或中红外LED，包括单模和多模、自由空间光束和光纤耦合。
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图片名称分类制造商参数描述
- 808 nm Laser Diode, Single Frequency DBR半导体激光器Photodigm Inc.
PH808DBR系列高功率边发射激光器基于Photodigm'S Advanced单频激光技术。808nm激光二极管是提供衍射的DBR有限的、单一的横向和纵向模式光束。小平面经过钝化处理，以确保高功率可靠性。用于医疗诊断、固态激光泵浦和计量应用的设备。
- Fabry-Pérot Laser Diode-LD-10XX-YY-600-1045nm半导体激光器Innolume GmbH
输出功率: 600mW
•400/600/670mW输出功率Ex-单模光纤 •可用波长范围1010-1090nm •专有镜面涂层技术，实现高可靠性 •PM980或HI1060光纤 •单独老化和热循环筛选 •可选监控光电二极管 •符合RoHS规范
- Seminex High Power Multi-Mode Laser Chip 1310nm 0.8W半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 800mW
Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时，我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计，以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试，以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。
- LDX-3410-980半导体激光器RPMC Lasers Inc.
波长: 980 nm
来自RPMC Lasers Inc.的LDX-3410-980是波长为980 nm、输出功率为3200 MW（光纤）至4000 MW、输出功率为3200 MW（光纤）至4000 MW、工作电压为1.8 V、工作电流为4400 mA的激光二极管。有关LDX-3410-980的更多详细信息，请参阅下文。
- ARR121C080半导体激光器Cutting Edge Optronics
Derringer封装采用专有的水冷设计，无需去离子水即可实现出色的热量提取。该阵列非常适合于固态激光器（SSL）晶体的侧面泵浦，以及任何需要线性配置中的多个条的直接二极管应用。4长德林格的特点是发射输出长度约为4厘米。可提供高达160W的CW输出功率。对于QCW配置，32巴阵列的最大输出为9.6 kW.
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