基于量子阱(QW)和量子点(QD)半导体材料的片上激光二极管因其卓越的特性，包括高功率效率、高温工作和小外形尺寸，已成为多种应用的主要技术。尽管QW已被广泛应用于商业产品中，但QD因其独特的零维态密度和类似原子的退变性，已成为一种极具吸引力的替代技术。
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