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光电查为您提供35个产品。下载资料,获取报价,实现功能、价格及供应的优化选择。

  • 线性激光模块 FD6K06310A 半导体激光器
    中国大陆
    厂家:LECC Technology
    工作电压: 4.5 - 5.5 VDC Input Voltage 光束2500mm: 1 - 2 mm (FAN Angle: 80°

    我们致力于为客户提供较高质量的产品,确保其性能、一致性、安全性和价值。我们提供一系列采用高质量激光二极管、光学器件、驱动电路和外壳设计的激光模块。我们还与供应商密切合作,确保所有材料符合全球市场趋势。

  • 线性激光模块 FD6806550A 半导体激光器
    中国大陆
    厂家:LECC Technology
    工作电压: 18 VDC Input Voltage 200mm光束: 1 mm

    我们致力于为客户提供较高质量的产品,确保其性能、一致性、安全性和价值。我们提供一系列采用高质量激光二极管、光学器件、驱动电路和外壳设计的激光模块。我们还与供应商密切合作,确保所有材料符合全球市场趋势。

  • 点阵激光模块FD6F04022B 半导体激光器
    中国大陆
    厂家:LECC Technology
    工作电压: 5.0 - 5.5 VDC Input Voltage 320mm 光束: <100 um

    我们致力于为客户提供较高质量的产品,确保其性能、一致性、安全性和价值。我们提供一系列采用高质量激光二极管、光学器件、驱动电路和外壳设计的激光模块。我们还与供应商密切合作,确保所有材料符合全球市场趋势。

  • L63E5 S-A/B/C 半导体激光器
    中国大陆
    厂家:LECC Technology
    技术: Quantum Well 激光增益介质: InGaAlP Laser

    LECC Technology的L63E5 S-A/B/C是一款激光二极管,波长为630至640 nm,输出功率为7 MW,工作电压为2.2至2.5 V,工作电流为43至55 mA.有关L63E5 S-A/B/C的更多详细信息,请联系我们。

  • L85H6S-A/B/C 半导体激光器
    中国大陆
    厂家:LECC Technology
    技术: Quantum Well 激光增益介质: AIGaAs Laser

    LECC Technology的L85H6S-A/B/C是波长为845至865 nm、输出功率为20 MW、工作电压为2至2.5 V、工作电流为15至70 mA的激光二极管。有关L85H6S-A/B/C的更多详细信息,请联系我们。

  • L67D7S-A/B/C 半导体激光器
    中国大陆
    厂家:LECC Technology
    技术: Quantum Well 激光增益介质: InGaAlP Laser

    来自LECC Technology的L67D7S-A/B/C是波长为660至680 nm、输出功率为5 MW、工作电压为2.3至2.6 V、工作电流为30至45 mA的激光二极管。有关L67D7S-A/B/C的更多详细信息,请联系我们。

  • L65E7S-A/B/C 半导体激光器
    中国大陆
    厂家:LECC Technology
    技术: Quantum Well 激光增益介质: InGaAlP Laser

    来自LECC Technology的L65E7S-A/B/C是波长为645至660 nm、输出功率为7 MW、工作电压为2.2至2.6 V、工作电流为45至55 mA的激光二极管。有关L65E7S-A/B/C的更多详细信息,请联系我们。

  • L 63J5S-A/B/C-L 半导体激光器
    中国大陆
    厂家:LECC Technology
    技术: Quantum Well 激光增益介质: InGaAlP Laser

    LECC Technology的L 63J5S-A/B/C-L是波长为633至645 nm的激光二极管,输出功率为40 MW,工作电压为2.4至2.7 V,工作电流为90至120 mA.有关L 63J5S-A/B/C-L的更多详细信息,请联系我们。

  • L63D4S-A/B/C 半导体激光器
    中国大陆
    厂家:LECC Technology
    技术: Quantum Well 激光增益介质: InGaAlP Laser

    来自LECC Technology的L63D4S-A/B/C是波长为630至640 nm、输出功率为5 MW、工作电压为2.2至2.7 V、工作电流为32至45 mA的激光二极管。有关L63D4S-A/B/C的更多详细信息,请联系我们。

  • L63D6SA 半导体激光器
    中国大陆
    厂家:LECC Technology
    技术: Quantum Well 激光增益介质: InGaAlP Laser

    LECC Technology的L63D6SA是一款激光二极管,波长为630至640 nm,输出功率为5 MW,工作电压为2.2至2.7 V,工作电流为45至60 mA.有关L63D6SA的更多详细信息,请联系我们。

  • L63F5S-A/B/C 半导体激光器
    中国大陆
    厂家:LECC Technology
    技术: Quantum Well 激光增益介质: InGaAlP Laser

    来自LECC Technology的L63F5S-A/B/C是波长为637至645 nm、输出功率为10 MW、工作电压为2.2至2.5 V、工作电流为55至75 mA的激光二极管。有关L63F5S-A/B/C的更多详细信息,请联系我们。

  • L63G5S-A/B/C 半导体激光器
    中国大陆
    厂家:LECC Technology
    技术: Quantum Well 激光增益介质: InGaAlP Laser

    来自LECC Technology的L63G5S-A/B/C是波长为637至645 nm、输出功率为15 MW、工作电压为2.2至2.5 V、工作电流为64至80 mA的激光二极管。有关L63G5S-A/B/C的更多详细信息,请联系我们。

  • L63H5S-A/B/C 半导体激光器
    中国大陆
    厂家:LECC Technology
    技术: Quantum Well 激光增益介质: InGaAlP Laser

    来自LECC Technology的L63H5S-A/B/C是波长为630至645 nm、输出功率为20 MW、工作电压为2.3至2.6 V、工作电流为60至80 mA的激光二极管。有关L63H5S-A/B/C的更多详细信息,请联系我们。

  • L65D5S-A/B/C-L 半导体激光器
    中国大陆
    厂家:LECC Technology
    技术: Quantum Well 激光增益介质: InGaAlP Laser

    LECC Technology的L65D5S-A/B/C-L是一种激光二极管,波长为648至660 nm,输出功率为5 MW,工作电压为2.2至2.6 V,工作电流为23至26 mA.有关L65D5S-A/B/C-L的更多详细信息,请联系我们。

  • L65D6S-A/B/C 半导体激光器
    中国大陆
    厂家:LECC Technology
    技术: Quantum Well 激光增益介质: InGaAlP Laser

    来自LECC Technology的L65D6S-A/B/C是波长为650至660 nm、输出功率为5 MW、工作电压为2.2至2.6 V、工作电流为40至55 mA的激光二极管。有关L65D6S-A/B/C的更多详细信息,请联系我们。

  • L65D7S-A/B/C-L 半导体激光器
    中国大陆
    厂家:LECC Technology
    技术: Quantum Well 激光增益介质: InGaAlP Laser

    来自LECC Technology的L65D7S-A/B/C-L是波长为650至660 nm、输出功率为5 MW、工作电压为2.15至2.6 V、工作电流为27至35 mA的激光二极管。有关L65D7S-A/B/C-L的更多详细信息,请联系我们。

  • L67D6S-A/B/C 半导体激光器
    中国大陆
    厂家:LECC Technology
    技术: Quantum Well 激光增益介质: InGaAlP Laser

    来自LECC Technology的L67D6S-A/B/C是波长为660至680 nm、输出功率为5 MW、工作电压为2.3至2.6 V、工作电流为50至70 mA的激光二极管。有关L67D6S-A/B/C的更多详细信息,请联系我们。

  • L67F6S-A/B/C 半导体激光器
    中国大陆
    厂家:LECC Technology
    技术: Quantum Well 激光增益介质: InGaAlP Laser

    LECC Technology的L67F6S-A/B/C是一款激光二极管,波长为660至680 nm,输出功率为10 MW,工作电压为2.3至2.6 V,工作电流为50至70 mA.有关L67F6S-A/B/C的更多详细信息,请联系我们。

  • L67F7S -A/B/C 半导体激光器
    中国大陆
    厂家:LECC Technology
    技术: Quantum Well 激光增益介质: InGaAlP Laser

    LECC Technology的L67F7S-A/B/C是波长为660至680 nm的激光二极管,输出功率为10 MW,工作电压为2.3至2.6 V,工作电流为40至80 mA.有关L67F7S-A/B/C的更多详细信息,请联系我们。

  • L68I6S-A/B/C 半导体激光器
    中国大陆
    厂家:LECC Technology
    技术: Quantum Well 激光增益介质: InGaAlP Laser

    来自LECC Technology的L68I6S-A/B/C是波长为670至700 nm、输出功率为30 MW、工作电压为2至3 V、工作电流为80至140 mA的激光二极管。有关L68I6S-A/B/C的更多详细信息,请联系我们。