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  • 24XX纳米SAF增益芯片 半导体激光器
    立陶宛
    技术: Fabry-Perot Laser (FP)

    来自Brolis Semiconductors的24xx nm SAF增益芯片是一款激光二极管,波长为2380 nm,输出功率为0.005至0.095 W,工作电压为1 V,工作电流为0.3 A,输出功率(CW)为0.005至0.095 W.24xx nm SAF增益芯片的更多详情见下文。

  • Brolis超宽调谐2250纳米SAF增益芯片 半导体激光器
    立陶宛

    Brolis 2250 nm单角度刻面(SAF)中红外增益芯片特性:-120 nm调谐范围,增益峰值为2250 nm@20℃,CW模式利特罗配置中整个范围内的-5-15 MW CW输出功率-30 dB SMSR(增益中心)-1 MHz线宽提供-TO5和C-Mount封装选项-10000小时寿命保证的高可靠性

  • Brolis超宽调谐2380纳米SAF增益芯片 半导体激光器
    立陶宛

    Brolis 2380 nm单角度刻面(SAF)增益芯片特性:-120nm调谐范围,增益峰值为2380nm,20℃,CW模式-在利特罗配置的整个调谐范围内,CW输出功率为5-18 MW-增益峰值时边模抑制比为25 dB-1 MHz线宽-TO5和C-mount封装选项

  • 980纳米12瓦单发射器CW激光二极管 半导体激光器
    立陶宛

    Brolis 980 nm 12 W连续激光二极管是要求苛刻的固态激光泵浦应用的理想选择。激光二极管具有3 mm长的腔和0.19 mm宽的发射器,可提供良好的光束质量和良好的光谱亮度-在FWHM下保持3 nm光谱宽度,以获得较大输出功率。

  • FL30000080B4CM 半导体激光器
    立陶宛
    技术: Fabry-Perot Laser (FP)

    Brolis Semiconductors的FL30000080B4CM是一种激光二极管,波长为2940至3050 nm,输出功率为0.017至0.028 W,工作电压为1至2 V,工作电流为0.8 A,阈值电流为65至90 mA.有关FL30000080B4CM的更多详细信息,请联系我们。

  • BSC4828 半导体激光器
    立陶宛
    技术: Fabry-Perot Laser (FP)

    Brolis Semiconductors公司的BSC4828是一种波长为2700 nm的激光二极管,输出功率为0.00 5至0.02 W,工作电压为1.5 V,工作电流为0.8 A,阈值电流为150 mA.有关BSC4828的更多详细信息,请联系我们。

  • Brolis超宽调谐2025纳米中红外SAF增益芯片 半导体激光器
    立陶宛

    Brolis2025nm单角面( SAF )中红外增益芯片特点: -超过100 nm的调谐范围,在CW模式下2025 nm @ 20 degC处有增益峰。 - 5 ~ 15mW CW输出功率在整个调谐范围内呈Littrow配置 - >增益中心30dB SMSR - < 1MHz线宽 - C - mount软件包 -高可靠性,> 10 000小时寿命保证。

  • 20XX纳米SAF增益芯片 半导体激光器
    立陶宛
    技术: Fabry-Perot Laser (FP)

    来自Brolis Semiconductors的20xx nm SAF增益芯片是波长为2025 nm、输出功率为0.0405 W、工作电压为1 V、工作电流为0.3 A、阈值电流为50 mA的激光二极管。有关20xx nm SAF增益芯片的更多详细信息,请联系我们。

  • 23XX纳米的CW激光二极管 半导体激光器
    立陶宛
    技术: Fabry-Perot Laser (FP)

    Brolis Semiconductors公司的23xxnm连续激光二极管是一种波长为2315nm,输出功率为0.04W,工作电压为1.5V,工作电流为0.6A,阈值电流为30mA的激光二极管。23xx nm CW激光二极管的更多详细信息可以在下面看到。

  • 23XX纳米高功率二极管 半导体激光器
    立陶宛
    技术: Fabry-Perot Laser (FP)

    Brolis Semiconductors公司生产的23xxnm大功率激光二极管,波长为2290nm,输出功率为0.5W,工作电压为1.5V,工作电流为5A,阈值电流为300mA.23xx nm高功率二极管的更多详细信息可以在下面看到。

  • 23XX纳米SAF增益芯片 半导体激光器
    立陶宛
    技术: Fabry-Perot Laser (FP)

    来自Brolis Semiconductors的23xx nm SAF增益芯片是一种激光二极管,波长为2250nm,输出功率为0.016至0.01W,工作电压为1V,工作电流为0.3A,输出功率(CW)为0.016至0.01W.23xx nm SAF增益芯片的更多详情见下文。

  • 24XX纳米高功率二极管 半导体激光器
    立陶宛
    技术: Fabry-Perot (FP)

    Brolis Semiconductors的24xx nm高功率二极管是一种连续波法布里-珀罗激光二极管,工作波长为2450 nm.单发射器可提供高达600 MW的功率,激光棒可提供超过5 W的功率。该设备基于Brolis公司专有的GaSb I型激光技术,并在Brolis公司最先进的洁净室设施中进行开发,包括在市场上最大的3英寸GaSb衬底平台上进行先进的多晶片分子束外延。这种单TE00偏振激光器需要1.4 V的电源,消耗高达6 A的电流。它采用TO-CAN封装,腔长为1.0/1.5/2.0 mm,发射极宽度为90/120/150µm,非常适合安全、医疗、研究和检测应用。

  • 26XX纳米的激光二极管 半导体激光器
    立陶宛
    技术: Fabry-Perot Laser (FP)

    Brolis Semiconductors公司的26XX nm激光二极管是一种波长为2590 nm、输出功率为0.02 W、工作电压为1.6 V、工作电流为0.5 A、阈值电流为100 mA的激光二极管。有关26xx nm激光二极管的更多详细信息,请联系我们。

  • 9XX纳米激光二极管 半导体激光器
    立陶宛
    技术: Fabry-Perot Laser (FP)

    来自Brolis Semiconductors的9xx nm激光二极管是一款激光二极管,波长为983 nm,输出功率为12 W,工作电压为2 V,工作电流为15 A,输出功率(CW)为12 W.9xx nm激光二极管的更多详情见下文。

  • BSC41104 半导体激光器
    立陶宛
    技术: Fabry-Perot Laser (FP) 半导体激光器巴条: Yes

    Brolis Semiconductors公司的BSC41104是一种波长为1940nm、输出功率为1W、工作电压为1.8V、工作电流为6.5A、阈值电流为450mA的激光二极管。有关BSC41104的更多详细信息,请联系我们。

  • FL21000079AR-BSC4434 半导体激光器
    立陶宛
    技术: Fabry-Perot Laser (FP)

    Brolis Semiconductors的FL21000079AR-BSC4434是波长为2080 nm的激光二极管,输出功率为0.14至0.15 W,工作电压为2 V,工作电流为0.8 A,阈值电流为80 mA.有关FL21000079AR-BSC4434的更多详细信息,请联系我们。

  • FL21000079AR-W90-2mm 半导体激光器
    立陶宛
    技术: Fabry-Perot Laser (FP) 半导体激光器巴条: Yes

    Brolis Semiconductors的FL21000079AR-W90-2MM是一款激光二极管,波长为2080至2110 nm,输出功率为1 W,工作电压为1至5 V,工作电流为3至6 A,阈值电流为280 mA.有关FL21000079AR-W90-2mm的更多详细信息,请联系我们。

  • FL24500420B4CM 半导体激光器
    立陶宛
    技术: Fabry-Perot Laser (FP)

    来自Brolis Semiconductors的FL24500420B4CM是波长为2410至2470 nm、输出功率为0.05至0.1 W、工作电压为1至2 V、工作电流为1.3至1.5 A、阈值电流为100至150 mA的激光二极管。有关FL24500420B4CM的更多详细信息,请联系我们。