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下载规格书 光电晶体管是一种双极结晶体管（BJT），它将光电二极管和晶体管的概念结合在一起。
全部产品分类
SFH 3710概述
SFH 3710参数
- 材料 / Material : Silicon
- 安装类型 / Mounting Type : Surface Mount
- 光电晶体管型 / Phototransistor Type : Phototransistor
- 极性 / Polarity : NPN
- 集电极发射极电压（击穿） / Collector Emitter Voltage (Breakdown) : 5.5 V
- 集电极暗电流 / Collector-Dark Current : 3 to 50 nA
- 发射极集电极电压（击穿） / Emitter Collector Voltage(Breakdown) : 0.5 V
- 波长（光谱灵敏度） / Wavelength(Spectral Sensitivity) : 350 to 950 nm
SFH 3710规格书
SFH 3710厂家介绍
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图片名称分类制造商参数描述
- OP705C光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 935 nm
来自TT Electronics的OP705C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流1.50至4.85 mA.有关OP705C的更多详情，请参见下文。
- L14N2光电晶体管Light In Motion
材料: Silicon
来自Light in Motion的L14N2是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极发射极电压（饱和）0.4 V，导通状态集电极电流2 mA，功耗300至600 MW.有关L14N2的更多详细信息，请参见下文。
- SFH 3211 FA光电晶体管OSRAM
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 750 to 1120 nm
来自OSRAM的SFH 3211 FA是一种光电晶体管，其集电极发射极电压（击穿）为35 V，集电极暗电流为1至50 nA，集电极发射极电压（饱和）为150 MV，功耗为165 MW，波长（光谱灵敏度）为750至1120 nm.有关SFH 3211 FA的更多详细信息，请参阅下文。
- APL3015P3C光电晶体管kingbrightusa
KingbrightUSA的APL3015P3C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.3至0.6 mA，功耗100 MW.有关APL3015P3C的更多详细信息，请参阅下文。
- KP-1608P1C光电晶体管kingbrightusa
材料: Silicon
KingbrightUSA的KP-1608P1C是一种光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.8 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.1至0.3 mA.有关KP-1608P1C的更多详细信息，请参阅下文。
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