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下载规格书 光电晶体管是一种双极结晶体管（BJT），它将光电二极管和晶体管的概念结合在一起。
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PT086T4概述
Optrans America的PT086T4是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.2 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗250 MW.有关PT086T4的更多详细信息，
PT086T4参数
- 安装类型 / Mounting Type : Through-Hole
- 光电晶体管型 / Phototransistor Type : Photo Transistor
- 集电极发射极电压（击穿） / Collector Emitter Voltage (Breakdown) : 30 V
- 集电极暗电流 / Collector-Dark Current : 100 nA
- 发射极集电极电压（击穿） / Emitter Collector Voltage(Breakdown) : 5 V
- 波长（光谱灵敏度） / Wavelength(Spectral Sensitivity) : 400 to 1100 nm
PT086T4规格书
PT086T4厂家介绍
OpTrans America是为医疗、机器人、汽车、光纤、航空航天和国防等原始设备制造商研究、开发和制造高端定制设计光电设备和系统的行业做的较好的。Optrans America在全球公认的Optrans公司内运营，该公司成立于1987年，总部设在日本。Optrans America成立于1994年，总部位于纽约州。
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图片名称分类制造商参数描述
- MTD8600T4-T光电晶体管Marktech Optoelectronics
材料: Metal波长（光谱灵敏度）: 400 to 1100 nm
Marktech Optoelectronics的MTD8600T4-T是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.2 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗250 MW.有关MTD8600T4-T的更多详细信息，请参阅下文。
- OP505D光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 935 nm
来自TT Electronics的OP505D是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.55 mA.有关OP505D的更多详细信息，请参见下文。
- OP798C光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 890 nm
来自TT Electronics的OP798C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流1.9至6.1 mA.有关OP798C的更多详情，请参见下文。
- XZRNI56W-1光电晶体管SunLED
SunLED的XZrNi56W-1是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.8 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗100 MW.有关XZrNi56W-1的更多详细信息，请参见下文。
- PT060PT光电晶体管Optrans America
波长（光谱灵敏度）: 400 to 1100 nm
Optrans America的PT060PT是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.2 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗100 MW.有关PT060PT的更多详细信息，请参阅下文。
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