光电晶体管是一种双极结晶体管（BJT），它将光电二极管和晶体管的概念结合在一起。
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MTD8000N4-T
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获取报价 收藏 下载规格书 更新时间：2023-10-18 14:27:09
型号: MTD8000N4-T
MTD8000N4-T概述
Marktech Optoelectronics的MTD8000N4-T是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.2 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗150 MW.有关MTD8000N4-T的更多详细信息，
MTD8000N4-T参数
- 材料 / Material : Metal
- 安装类型 / Mounting Type : Through-Hole
- 光电晶体管型 / Phototransistor Type : Photo Transistor
- RoHS / RoHs : Yes
- 集电极发射极电压（击穿） / Collector Emitter Voltage (Breakdown) : 30 V
- 集电极暗电流 / Collector-Dark Current : 100 nA
- 发射极集电极电压（击穿） / Emitter Collector Voltage(Breakdown) : 5 V
- 波长（光谱灵敏度） / Wavelength(Spectral Sensitivity) : 400 to 1100 nm
MTD8000N4-T图片集
MTD8000N4-T规格书
MTD8000N4-T厂家介绍
Marktech Optoelectronics是一家传感器和InP外延片制造商。他们拥有一支在应用和产品设计方面拥有多年经验的现场工程和设计团队。除了传感器系列外，MarkTech还是Cree高亮度LED和材料系列的解决方案提供商。
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图片名称分类制造商参数描述
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