全部产品分类
光电查

OP805SL

立即咨询获取报价获取报价收藏 收藏 下载规格书 下载规格书
加拿大
分类:光电晶体管
厂家:TT Electronics

更新时间:2023-10-18 14:27:09

型号: OP805SL

OP805SL概述

来自TT Electronics的OP805SL是一款光电晶体管,发射集电极电压(击穿)为5 V,导通集电极电流为15 mA,功耗为250 MW.有关OP805SL的更多详情,

OP805SL参数

  • 输入功率(辐照度) / Input Power(Irradiance) : 5 mW/cm2
  • 材料 / Material : Silicon
  • 安装类型 / Mounting Type : Through-Hole
  • 光电晶体管型 / Phototransistor Type : Photo Transistor
  • 极性 / Polarity : NPN
  • RoHS / RoHs : Yes
  • 技术 / Technology : GaAs, GaAIAs
  • 发射极集电极电压(击穿) / Emitter Collector Voltage(Breakdown) : 5 V
  • 导通状态集电极电流 / On-State Collector Current : 15 mA

OP805SL规格书

OP805SL厂家介绍

我们通过全球专家网络和世界较好的设施为客户提供工程支持和专业知识。

相关内容

相关产品

图片名称分类制造商参数描述
  • 光电查
    BPW76A光电晶体管Vishay Intertechnology

    材料: Silicon波长(光谱灵敏度): 450 to 1080 nm

    Vishay Intertechnology的BPW76A是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)70 V,集电极暗电流1至100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.15至0.3 V,功耗250 MW,波长(光谱灵敏度)450至1080 nm.有关BPW76A的更多详细信息,请参阅下文。

  • 光电查
    OP775D光电晶体管TT Electronics

    材料: Silicon波长(光谱灵敏度): 935 nm

    来自TT Electronics的OP775D是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.40 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流0.85至7 mA.有关OP775D的更多详情,请参见下文。

  • 光电查
    OP802SL光电晶体管TT Electronics

    材料: Silicon

    来自TT Electronics的OP802SL是一款光电晶体管,发射集电极电压(击穿)为5 V,导通集电极电流为2 mA至5 mA,功耗为250 MW.有关OP802SL的更多详情,请参见下文。

  • 光电查
    NTE3036光电晶体管NTE Electronics, Inc

    材料: Silicon

    NTE Electronics,Inc的NTE3036是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)50 V,集电极暗电流10至100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.6至1 V,发射极集电极电压(击穿)10至15.5 V,功耗250 MW.有关NTE3036的更多详细信息,请参阅下文。

  • 光电查
    BPX 43光电晶体管OSRAM

    材料: Silicon波长(光谱灵敏度): 450 to 1100 nm

    欧司朗的BPX 43是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)50 V,集电极暗电流20至100 nA,集电极发射极电压(饱和)200 MV,发射极集电极电压(击穿)7 V,功耗220 MW.有关BPX 43的更多详细信息,请参见下文。

相关文章