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KPD104M32 光电二极管

KPD104M32

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日本
分类:光电二极管

更新时间:2023-01-06 14:51:27

型号: KPD104M32Silicon Photodiodes

KPD104M32概述

Kyoto Semiconductors的KPD104M32是一款光电二极管,波长范围为400至1100 nm,电容为14 PF,暗电流为10 nA.有关KPD104M32的更多详细信息,

KPD104M32参数

  • 光电探测器类型 / Photodetector Type : PN
  • 工作模式 / Operation Mode : Photoconductive
  • 波长范围 / Wavelength Range : 400 to 1100 nm
  • 光电二极管材料 / Photodiode Material : Silicon
  • 电容 / Capacitance : 14 pF
  • 暗电流 / Dark Current : 10 nA

KPD104M32规格书

KPD104M32厂家介绍

Kyosemi公司于1980年4月在日本京都成立,是一家制造光半导体器件的风险投资公司。36年来,我们克服了许多考验;将我们的基地从京都扩展到东京、北海道和硅谷;并巩固了我们作为专业光半导体器件制造商的市场地位。为此,我向Kyosemi的所有客户和利益相关者表示衷心的感谢。

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