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IAV80概述
IAV80参数
- 光电探测器类型 / Photodetector Type : Avalanche
- 波长范围 / Wavelength Range : 1 to 1.63 µm
- 光电二极管材料 / Photodiode Material : InGaAs
- 电容 / Capacitance : 0.35 to 0.45 pF
- 暗电流 / Dark Current : 4 to 15 nA
- 响应度/光敏度 / Responsivity/Photosensitivity : 0.85 to 0.95 A/W
IAV80规格书
IAV80厂家介绍
GPD Optoelectronics成立于1973年，当时名为锗功率器件公司（Germanium Power Devices Corp.）。我们较初生产高质量的锗晶体管，但自20世纪80年代初以来，我们已成为值得信赖的锗和砷化铟镓光电二极管制造商。随着经验的积累，我们的技术能力和生产能力得到了提高，较终我们的规模扩大了一倍，搬到了位于新罕布什尔州塞勒姆的新工厂。 GPD自1973年以来一直是功率和高速锗晶体管和二极管的制造商，自1985年以来是红外光电探测器的制造商。GPD提供Ge、p-n、p-i-n、APD和InGaAs p-i-n高速和大面积光电探测器，用于辐射检测和电信应用。GPD拥有符合MIL-I-45208的检验系统。光电二极管须符合Telcordia测试要求（TA-NWT-00093）、MIL-STD-883测试方法和/或客户规格。
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图片名称分类制造商参数描述
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- SL3-2光电二极管OSI Laser Diode, Inc.
波长范围: 670 nm响应度/光敏度: 0.4 A/W
OSI Laser Diode，Inc.的SL3-2是一款光电二极管，波长范围为670 nm，电容为3至7 PF，暗电流为5至50 nA，响应度/光敏度为0.4 A/W，上升时间为0.04µs.有关SL3-2的更多详细信息，请参阅下文。
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