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相关产品
- PB27S1010T17M光电二极管Laser Components
Laser Components的PB27S1010T17M是一款光学探测器,波长范围为1至3.3µm,响应度/光敏度为1300000至1950000 V/W,有效面积直径为6.35 mm.有关PB27S1010T17M的更多详细信息,请参阅下文。
- SAH500NX光电二极管Laser Components
来自Laser Components的SAH500NX是一款光学探测器,波长范围为400至1000 nm,上升时间为300 psec,暗电流为1至3 nA,电容为2 PF,响应度/光敏度为40 A/W.有关SAH500NX的更多详细信息,请参见下文。
- 55BI-SMT光电二极管OSI Laser Diode, Inc.
波长范围: 920 nm响应度/光敏度: 0.30 to 0.59 A/W
OSI Laser Diode,Inc.的55Bi-SMT是一款光电二极管,波长范围为920 nm,电容为200 PF,暗电流为0.04至2 nA,响应度/光敏度为0.30至0.59 A/W,上升时间为20µs.有关55BI-SMT的更多详细信息,请参阅下文。
- FCI-InGaAs-75ACER光电二极管OSI Laser Diode, Inc.
波长范围: 900 to 1700 nm响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W
来自OSI Laser Diode,Inc.的FCI-InGaAs-75Acer是波长范围为900至1700nm的光电二极管,电容为0.65pF,暗电流为0.03至2nA,响应度/光敏度为0.80至0.95A/W,上升时间0.2ns.有关FCI-InGaAs-75ACER的更多详细信息,请参阅下文。
- FCI-InGaAs-300B1XX光电二极管OSI Optoelectronics
波长范围: 900 to 1700 nm响应度/光敏度: 0.80 to 0.85 A/W
OSI Optoelectronics的FCI-InGaAs-300B1xx是背照式InGaAs光电二极管/阵列,光谱范围为900至1700 nm.它们的有源区直径为300μm,节距为500μm,最小响应度为0.8-0.85A/W.这些光电二极管设计为倒装芯片安装到光学平面上,用于正面或背面照明。它们可以采用传统的安装方式(活动区域朝上),也可以面朝下组装,从而最大限度地减少整体尺寸。这些光电二极管的最小带宽为100 MHz,电容为8 PF,暗电流为0.05 nA.它们的最小击穿电压为10 V,最大正向电流为25 mA.这些光电二极管可用作单元件二极管或4/8元件阵列,是高速光通信、多通道光纤接收器、功率监控、单模/多模光纤接收器、快速以太网、SONET/SDH OC-3/STM-1、ATM、仪器仪表和模拟接收器应用的理想选择。
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天津大学研究人员描述了利用一种被称为超导纳米线单光子探测器的先进光传感元件进行非视距成像的首次演示。这种探测器具有从 X 射线到中红外波长的单光子灵敏度,使研究人员能够将成像技术的光谱范围扩展到1560 nm和1997 nm的近红外和中红外波长。研究人员还开发了一种新算法,以进一步改进系统获得的图像。
什么是直接二极管激光器(Direct Diode Lasers)?
直接二极管激光器(DDL)是一种激光振荡器,它使用棱镜和透镜来集中来自半导体激光器阵列组成的激光二极管(LD)堆栈模块的激光束
激光二极管是一种半导体设备,它将电能直接转换为一束聚焦的光。