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FCI-InGaAs-300B1XX
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获取报价 收藏 下载规格书 更新时间：2023-01-06 14:51:27
型号: FCI-InGaAs-300B1XX900 to 1700 nm Back-Illuminated InGaAs Photodiode/Arrays
概述
OSI Optoelectronics的FCI-InGaAs-300B1xx是背照式InGaAs光电二极管/阵列，光谱范围为900至1700 nm.它们的有源区直径为300μm，节距为500μm，最小响应度为0.8-0.85A/W.这些光电二极管设计为倒装芯片安装到光学平面上，用于正面或背面照明。它们可以采用传统的安装方式（活动区域朝上），也可以面朝下组装，从而最大限度地减少整体尺寸。这些光电二极管的最小带宽为100 MHz，电容为8 PF，暗电流为0.05 nA.它们的最小击穿电压为10 V，最大正向电流为25 mA.这些光电二极管可用作单元件二极管或4/8元件阵列，是高速光通信、多通道光纤接收器、功率监控、单模/多模光纤接收器、快速以太网、SONET/SDH OC-3/STM-1、ATM、仪器仪表和模拟接收器应用的理想选择。
参数
- 模块 / Module : No
- 光电探测器类型 / Photodetector Type : PIN
- 工作模式 / Operation Mode : Photoconductive
- 波长范围 / Wavelength Range : 900 to 1700 nm
- 光电二极管材料 / Photodiode Material : InGaAs
- 电容 / Capacitance : 8 to 10 pF
- 暗电流 / Dark Current : 0.05 to 5 nA
- 响应度/光敏度 / Responsivity/Photosensitivity : 0.80 to 0.85 A/W
- 元件数量 / No. of Elements : 4 or 8 elements
图片集
规格书
厂家介绍
OSI Optoelectronics成立于2006年，由同一品牌下的多家子公司合并而成，服务于相同的客户和应用。我们的目标是加强我们对核心业务的关注，并利用公司内部的所有资源来提供较好的产品。
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图片名称分类制造商参数描述
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