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QL65E53A/B

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更新时间:2023-02-07 16:00:24

型号: QL65E53A/BMOCVD grown 650 nm band InGaAlP laser diode with quantum well structure

QL65E53A/B概述

来自Quantum Semiconductor International的QL65E53A/B是波长为645至660 nm的激光二极管,输出功率为7 MW,工作电压为2至2.5 V,工作电流为19至30 mA.有关QL65E53A/B的更多详细信息,

QL65E53A/B参数

  • 技术 / Technology : Quantum Well
  • 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
  • 波长 / Wavelength : 645 to 660 nm
  • 输出功率 / Output Power : 7 mW
  • 工作电压 / Operating Voltage : 2 to 2.5 V
  • 工作电流 / Operating Current : 19 to 30 mA
  • 阈值电流 / Threshold Current : 12 to 19 mA
  • 激光增益介质 / Laser Gain Medium : InGaAlP Lasers
  • 激光颜色 / Laser Color : Red
  • 类型 / Type : Free Space Laser Diode

QL65E53A/B图片集

QL65E53A/B图1

QL65E53A/B规格书

QL65E53A/B厂家介绍

凭借在开发新型光子器件方面的卓越能力,QSI公司致力于成为世界一流的激光二极管专业公司。

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图片名称分类制造商参数描述
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