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IND02L700D102 半导体激光器

IND02L700D102

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美国
厂家:贰陆公司

更新时间:2024-02-06 15:51:58

型号: IND02L700D1021300nm 28 Gb/s NRZ DFB Laser Diode Chip

概述

适用于无冷却28 Gb/s NRZ的分布反馈(DFB)激光二极管芯片,具备优异的可靠性和性能,能够在非密封封装中使用,并符合RoHS环保标准。

参数

  • 技术 / Technology : Distributed Feedback (DFB)
  • 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
  • 波长 / Wavelength : 1309.14 nm
  • 工作电压 / Operating Voltage : 1.6 V
  • 工作电流 / Operating Current : 60 to 80 mA
  • 阈值电流 / Threshold Current : 5 to 17 mA
  • 激光颜色 / Laser Color : Infrared
  • 类型 / Type : Free Space Laser Diode
  • RoHS / RoHS : Yes
  • 阈值电流 / Threshold Current Ith : 25°C 5 mA, 85°C 11-17 mA
  • 斜率效率 / Slope Efficiency SE : 85°C 0.1-0.2 W/A
  • 斜率效率比 / Slope Efficiency Ratio SE0C/SE85C : 0°C, 85°C 4
  • 饱和电流 / Saturation Current Isat : 85°C 80-100 mA
  • 工作电压 / Operating Voltage Vf : Po=5 mW 1.6 V
  • 差分电阻 / Differential Resistance Ro : Po=5 mW, 85°C 7-10 Ohm
  • 电容 / Capacitance C : 1.2 pF
  • 正/反输出功率比 / Front/Back Output Power Ratio Pf/Pb : 7-60
  • 侧模压制比 / Side Mode Suppression Ratio SMSR : Po=5 mW 35 dB
  • 波长 / Wavelength λ : 见下表
  • 波长温度系数 / Wavelength Temperature Coefficient Dλ/Dt : 0.09 nm/°C
  • 热阻 / Thermal Impedance Zth : 140 K/W
  • 光束发散角(水平) / Beam Divergence (Horizontal) ΘH : FWHM 30 degree
  • 光束发散角(垂直) / Beam Divergence (Vertical) ΘV : FWHM 35 degree
  • 相对强度噪声 / Relative Intensity Noise RIN : Po=5 mW -132 dB/Hz1/2
  • 带宽 / Bandwidth F3db : I=60 mA, 85°C 18-21 GHz
  • 松弛振荡频率 / Relaxation Oscillation Frequency Fr : I=60 mA, 85°C 15.5-17.5 GHz

应用

1.光纤通信链路;2.千兆以太网和存储区域网络;3.5G无线前传数据链路。

特征

1.设计用于无冷却的28 Gb/s NRZ;2.工作温度范围-20°C到95°C;3.符合GR-468标准,适用于非密封封装;4.具备优异的可靠性;5.顶部阳极和背面阴极配置。

规格书

厂家介绍

II-VI Incorporated是工程材料和光电元件领域的全球做的较好的,是一家垂直整合的制造公司,为通信、工业、航空航天和国防、半导体资本设备、生命科学、消费电子和汽车市场的多样化应用开发创新产品。该公司总部位于宾夕法尼亚州萨克森堡,在全球拥有研发、制造、销售、服务和分销设施。该公司生产各种特定应用的光子和电子材料和组件,并以各种形式部署它们,包括与先进的软件集成,以支持我们的客户。

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