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下载规格书 RoboSense称其汽车激光雷达销售加速
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AF4B117EA75L概述
来自Anritsu Corporation的AF4B117EA75L是波长为1460至1490nm、输出功率为0.17W、工作电压为2V、阈值电流为70至150mA、输出功率（CW）为0.17W的激光二极管。
AF4B117EA75L参数
- 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
- 波长 / Wavelength : 1460 to 1490 nm
- 输出功率 / Output Power : 0.17 W
- 工作电压 / Operating Voltage : 2 V
- 阈值电流 / Threshold Current : 70 to 150 mA
- 类型 / Type : Fiber-Coupled Laser Diode
AF4B117EA75L规格书
AF4B117EA75L厂家介绍
安立公司在信息通信领域不断发展，开发各种通信系统和服务应用，为质量保证仪器和食品药品异物检测机、重量分选机、远程监控系统、带宽控制等提供必不可少的设备。在广泛的领域中，支撑着小康社会的安全与安心。
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图片名称分类制造商参数描述
- 1955-1976 uniMir : Single Mode DFB QCL / Broadband Fabry Perot QCL半导体激光器mirSense
输出功率: 5mW
Unimir产品线提供4µm–10µm（2500 cm-1–1000 cm-1）的单模量子级联激光器（单模DFB QCL）或宽带激光器（Fabry Perrot）。Unimir激光器在室温下工作，没有低温系统，以脉冲或连续波发射。
- ARR187p100半导体激光器Northrop Grumman
波长: 808 nm输出功率: 100 W
Northrop Grumman公司的ARR187P100是一种波长为808 nm、输出功率为100 W、工作电压为1.8 V、工作电流为95 A、阈值电流为15000 mA的激光二极管。有关ARR187P100的更多详细信息，请参阅下文。
- 23XX nm SAF gain-chip半导体激光器Brolis Semiconductors
波长: 2250 nm输出功率: 0.016 to 0.01 W
来自Brolis Semiconductors的23xx nm SAF增益芯片是一种激光二极管，波长为2250nm，输出功率为0.016至0.01W，工作电压为1V，工作电流为0.3A，输出功率（CW）为0.016至0.01W.23xx nm SAF增益芯片的更多详情见下文。
- CS01/CS04-60-880半导体激光器Apollo Instruments, Inc.
波长: 880 nm输出功率: 60 W
Apollo Instruments，Inc.的CS01/CS04-60-880是波长为880 nm、输出功率为60 W、工作电压为2 V、工作电流为70 A、阈值电流为15000 mA的激光二极管。有关CS01/CS04-60-880的更多详细信息，请参阅下文。
- QL65E53A/B半导体激光器Quantum Semiconductor International
波长: 645 to 660 nm输出功率: 7 mW
来自Quantum Semiconductor International的QL65E53A/B是波长为645至660 nm的激光二极管，输出功率为7 MW，工作电压为2至2.5 V，工作电流为19至30 mA.有关QL65E53A/B的更多详细信息，请参阅下文。
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